【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、现代动态随机存取存储器(dram)通过增加连接dram和诸如图形处理单元(gpu)、中央处理单元(cpu)等一个或多个数据处理器的总线上的数据传输速度来提供高存储器带宽。dram通常为便宜且高密度的，从而使得每个设备能够集成大量的dram。现今销售的大多数dram芯片与由联合电子设备工程委员会(jedec)发布的各种双倍数据速率(ddr)dram标准兼容。通常，若干ddr dram芯片被组合到单个印刷电路板衬底上，以形成不仅可以提供相对较高的速度还可以提供可缩放性的存储器模块。然而，虽然这些增强已改进用于计算机系统的主存储器的ddr存储器的速度，但仍期望进一步的改进。
2、一种类型的ddr dram，称为图形双数据速率(gddr)存储器，已突破了数据传输速率的界限，以适应图形应用所需的高带宽。随着新gddr标准的开发，它们往往会支持更高的数据速率。然而，在这些更高数据速率下操作通常需要用于训练数据链路的传输和接收电路的改进过程。在信令链路上采用多于两个信令电平也会使链路训练过程复杂化。
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【技术保护点】
1.一种用于训练接收器的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
3.根据权利要求3所述的方法，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中：
6.根据权利要求5所述的方法，其中：
7.根据权利要求1所述的方法，其中：
8.一种用于通过数据总线耦接到易失性存储器的物理层(PHY)电路，所述PHY电路包括：
9.根据权利要求8所述的PHY电路，其中所述接收器控制电路能够进一步操作为：
<...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于训练接收器的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
3.根据权利要求3所述的方法，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中：
6.根据权利要求5所述的方法，其中：
7.根据权利要求1所述的方法，其中：
8.一种用于通过数据总线耦接到易失性存储器的物理层(phy)电路，所述phy电路包括：
9.根据权利要求8所述的phy电路，其中所述接收器控制电路能够进一步操作为：
10.根据权利要求8所述的phy电路，其中所述接收器控制电路能够进一步操作为：
11.根据权利要求10所述的phy电路，其中所述接收器控制电路能够进一步操作为：
【专利技术属性】
技术研发人员：亚伦·D·威利，卡西克·戈帕拉克里希南，普拉迪普·加雅拉曼，
申请(专利权)人：超威半导体公司，
类型：发明
国别省市：
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