【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种存储器的擦除方法。
技术介绍
1、闪存(flash memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)存储器，其主要由存储单元阵列中的多个存储块(block)组成，每个存储块具有多个扇区(sector)，每个扇区包括多个存储单元。
2、然而，现有的闪存在擦除目标存储区后，读取数据时，与目标存储区共阱区的背景存储区容易发生误读。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种存储器的擦除方法，用于解决现有的存储器容易发生误读的问题。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种存储器的擦除方法，包括：
3、擦除一目标存储区，与所述目标存储区共阱区的存储区为背景存储区；
4、对目标存储区执行预编程操作；
5、对至少部分所述背景存储区执行第一刷新编程操作；以及，
6、对所述目标存储区执行擦除操作。
7、可选的，对所述目标存储区执行擦除操作之后，所述擦除方法
【技术保护点】
1.一种存储器的擦除方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的存储器的擦除方法，其特征在于，对所述目标存储区执行擦除操作之后，所述擦除方法还包括：
3.如权利要求2所述的存储器的擦除方法，其特征在于，执行所述第一刷新编程操作的所述背景存储区与执行所述第二刷新编程操作的所述背景存储区不同。
4.如权利要求3所述的存储器的擦除方法，其特征在于，对一部分所述背景存储区执行所述第一刷新编程操作，对剩余的所述背景存储区执行所述第二刷新编程操作。
5.如权利要求4所述的存储器的擦除方法，其特征在于，若执行所述第二刷新编程操作时...
【技术特征摘要】
1.一种存储器的擦除方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的存储器的擦除方法，其特征在于，对所述目标存储区执行擦除操作之后，所述擦除方法还包括：
3.如权利要求2所述的存储器的擦除方法，其特征在于，执行所述第一刷新编程操作的所述背景存储区与执行所述第二刷新编程操作的所述背景存储区不同。
4.如权利要求3所述的存储器的擦除方法，其特征在于，对一部分所述背景存储区执行所述第一刷新编程操作，对剩余的所述背景存储区执行所述第二刷新编程操作。
5.如权利要求4所述的存储器的擦除方法，其特征在于，若执行所述第二刷新编程操作时发生异常掉电，记录异常掉电位置，下一次对所述目标存储区执行所述预编程操作之后，至少对异常掉电时未完成所述第二刷新编程操作的所述背景存储区执行所述第一刷新编程操作。
6.如权利要求2～5中任一项所述的存储器的擦除方法，其特征在于，执行所述第一刷新编程操作的所述背景存储区的数量大于执行所述第二刷新编程操作的所述背景存储区的数量。
7.如权利要求2～5中任一项所述的存储器的擦除方法，其特征在于，所述目标存储区及所...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗旖旎，卢中舟，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。