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本发明提供了一种存储器的擦除方法，擦除一目标存储区之后，对目标存储区执行预编程操作，对与所述目标存储区共阱区的至少部分背景存储区执行第一刷新编程操作，然后对所述目标存储区执行擦除操作。本发明在对所述目标存储区执行擦除操作之前对至少部分所述背...
该专利属于武汉新芯集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路股份有限公司授权不得商用。

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