基板处理方法及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术关于一种处理晶圆等基板的基板处理装置，特别是关于进行基板的斜角部的研磨及基板平面部的CMP处理的基板处理方法及基板处理装置。基板处理方法是用研磨具研磨多个基板(W)的斜角部(B)，以使多个基板(W)的斜角部(B)的倾斜面(S)的倾斜角度(α)相同，对斜角部(B)被研磨后的多个基板(W)的平面部(P)进行CMP处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术关于处理晶圆等基板的基板处理装置，特别是关于进行基板的斜角部的研磨及基板的平面部的cmp处理的基板处理方法及基板处理装置。

技术介绍

1、半导体组件的制造工序中的技术已知有化学机械研磨(cmp：chemicalmechanical polishing)。用于进行cmp处理的cmp装置用cmp头保持基板并使基板旋转，进一步向旋转的研磨台上的研磨垫按压基板来对基板的表面(更具体而言，是基板的平面部)进行cmp处理。研磨中，向研磨垫供给研磨液(浆液)，基板的平面部通过研磨液的化学性作用、与研磨液所含的研磨粒及/或研磨垫的机械性作用的组合而平坦化。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2010－50436号公报

5、(专利技术所要解决的问题)

6、即使使用相同规格的裸晶圆，各基板的斜角部的形状仍会产生变动。此外，基板的绝缘膜、金属膜等的成膜状态也会产生变动。因而，cmp处理前的基板的斜角部的形状对于每个基板不同。对多个基板进行cmp处理时，因为各基板的斜角部的形状不一，会影响本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基板处理方法，处理多个基板，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，

5.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理方法，其中，

7.一种基板处理装置，处理多个基板，其特征在于，具备：

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，

9.根据权利要求7或8所述的基板处理装置，其中，

10.根据权利要求9所述的基板处理装...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种基板处理方法，处理多个基板，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，

5.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理方法，其中，

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【专利技术属性】
技术研发人员：中西正行，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：