【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及低温等离子体技术和薄膜材料制备，具体涉及一种等离子体射流触发脉冲阴极弧源。
技术介绍
1、真空阴极弧源是一种利用电弧作用将阴极靶材和气体电离，形成等离子体的装置，其产生的等离子体中部分粒子在工件偏压电场的作用下，沉积在基片上形成薄膜。由于具有设备相对简单、靶材离化率和利用率高，镀膜速度快，绕镀性好，适合复杂形状工件镀膜等特点，其作为一种重要的物理气相沉积设备，已经被广泛应用于各种金属膜、dlc膜、半导体膜、金属氧化膜和金属氮化膜等薄膜的制备。
2、真空阴极弧源通常情况下将待镀的材料作为阴极靶材，真空室作为阳极，通过一种机械式触发针引弧系统触发，来产生等离子体电弧。但是，这种结构会产生很多大颗粒，后来研究人员在阴阳极之间加上一个大电阻的绝缘材料，通过一个脉冲高压瞬间击穿来形成电弧。电弧触发后会在阴极表面产生一个或者多个弧斑，在没有磁场的情况下，弧斑通常会以无规则的方式在阴极表面运动。存在磁场时，弧斑点将沿-j×b的方向运动，通常运动符合逆安培定律和锐角法则。真空阴极弧源虽然有各种各样的优点，但是其最大的缺点就是在...
【技术保护点】
1.一种等离子体射流触发脉冲阴极靶，其特征在于，包括：水冷阴极靶(1)、磁流体(2)、齿轮减速器(3)、冷却水进出嘴(4)、阴极靶电机(5)、运动模组电机(6)、磁场线圈(7)、屏蔽壳(8)、运动机械模组(9)和等离子体电弧射流炬(10)；
2.根据权利要求1所述的一种等离子体射流触发脉冲阴极靶，其特征在于：所述水冷阴极靶(1)为中空圆柱体结构，水冷阴极靶(1)的内部设置有支撑块(13)和磁钢(12)，磁钢(12)固定于支撑块(13)上；所述支撑块(13)与水冷阴极靶(1)同轴设置，支撑块(13)的外壁与水冷阴极靶(1)的内壁之间设置有水冷通道(11)；所...
【技术特征摘要】
1.一种等离子体射流触发脉冲阴极靶，其特征在于，包括：水冷阴极靶(1)、磁流体(2)、齿轮减速器(3)、冷却水进出嘴(4)、阴极靶电机(5)、运动模组电机(6)、磁场线圈(7)、屏蔽壳(8)、运动机械模组(9)和等离子体电弧射流炬(10)；
2.根据权利要求1所述的一种等离子体射流触发脉冲阴极靶，其特征在于：所述水冷阴极靶(1)为中空圆柱体结构，水冷阴极靶(1)的内部设置有支撑块(13)和磁钢(12)，磁钢(12)固定于支撑块(13)上；所述支撑块(13)与水冷阴极靶(1)同轴设置，支撑块(13)的外壁与水冷阴极靶(1)的内壁之间设置有水冷通道(11)；所述水冷阴极靶(1)与磁流体(2)也为同轴心设置，所述磁流体(2)内也设置有水冷通道(11)。
3.根据权利要求2所述的一种等离子体射流触发脉冲阴极靶，其特征在于：所述阴极靶电机(5)通过齿轮减速器(3)和磁流体(2)带动水冷阴极靶(1)以不同转速旋转。
4.根据权利要求3所述的一种等离子体射流触发脉冲阴极靶，其特征在于：所...
【专利技术属性】
技术研发人员：聂军伟，陈庆川，祝土富，王丁，金凡亚，但敏，陈伦江，
申请(专利权)人：核工业西南物理研究院，
类型：发明
国别省市：
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