【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及离子源，具体涉及一种中和器及包括该中和器的霍尔离子源装置。
技术介绍
1、利用等离子体进行材料表面处理作为一项重要的制造工艺，在航空航天、机械制造、电子信息、装修装饰、新能源以及医疗等多个领域都具有相当广泛的应用。其中，通过离子源对待处理材料表面进行预清洗是等离子体材料表面处理工艺中的重要环节。
2、通过离子源预清洗环节，可以有效去除材料表面吸附的杂质，排除材料表面杂质对后续工艺效果的影响；也可以有效提高材料表面活性和表面能，增强膜层附着力；还可以对不同批次的材料或不同的工艺条件提供一个相对稳定和一致的材料表面状态，从而增强工艺的兼容性和可重复性。
3、霍尔离子源由于其结构相对简单、便于进行尺寸缩放、运行维护方便，在材料表面预处理领域得到了广泛应用。但是由于霍尔离子源通常引出的是带正电荷的离子束流，尤其对于非金属材料表面的预处理，会存在一些不必要的电荷累积和材料表面损伤问题。因此，根据具体应用场景要求，需要对霍尔离子源引出束流进行电荷中和处理。
4、在一篇公开号为cn111759024a...
【技术保护点】
1.一种中和器，其特征在于，所述中和器(8)包括壳体(801)以及用于形成壳体(801)底部的底板(802)，所述壳体(801)内设置有中和区域(803)，所述中和区域(803)的顶部开凿有引出口(804)，所述底板(802)中部开凿有与中和区域(803)贯通连接的第一进气口(805)；所述底板(802)伸出壳体(801)外侧壁的边缘区域内间隔设有多个第二进气口(806)；
2.一种霍尔离子源装置，其特征在于，装置包括阳极环(1)、内磁极(2)、外磁极(3)、内屏蔽罩(4)、外屏蔽罩(5)、支撑法兰(6)、进气管(7)以及如权利要求1所述的中和器(8)；<...
【技术特征摘要】
1.一种中和器，其特征在于，所述中和器(8)包括壳体(801)以及用于形成壳体(801)底部的底板(802)，所述壳体(801)内设置有中和区域(803)，所述中和区域(803)的顶部开凿有引出口(804)，所述底板(802)中部开凿有与中和区域(803)贯通连接的第一进气口(805)；所述底板(802)伸出壳体(801)外侧壁的边缘区域内间隔设有多个第二进气口(806)；
2.一种霍尔离子源装置，其特征在于，装置包括阳极环(1)、内磁极(2)、外磁极(3)、内屏蔽罩(4)、外屏蔽罩(5)、支撑法兰(6)、进气管(7)以及如权利要求1所述的中和器(8)；
3.根据权利要求2所述的一种霍尔离子源装置，其特征在于，所述支撑法兰(6)的上表面设有第二放置槽(12)，所述内磁极(2)和外屏蔽罩(5)均放置在第二放置槽(12)内。
4.根据权利要求2所述的一种霍尔离子源装置，其特征在于，所述内磁极(2)的上表面边缘部设有第一卡槽(13)，所述外磁极(3)的下表面边缘部设有第二卡槽(14)，所述内屏蔽罩(4)的下边缘部放置在第一卡槽(13)内，所述内屏蔽罩(4)的上边缘部放置在第二卡槽(14)内。
5.根据权利要求2所述的一种霍尔离子源装置，其特征在于，多个...
【专利技术属性】
技术研发人员：李平川，张帆，张正浩，唐德礼，
申请(专利权)人：核工业西南物理研究院，
类型：发明
国别省市：
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