用于沉积含磷硅层的方法技术

公开了一种在衬底上外延生长磷掺杂硅层的方法。目前描述的方法的实施例包括将衬底暴露于硅前体和磷前体，其中衬底暴露于磷前体是在与暴露于硅前体重叠的时间段内完成的。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及形成外延层的方法。更具体地，本公开涉及在衬底上外延形成磷掺杂硅层的方法、由其获得的场效应晶体管以及用于在衬底上形成磷掺杂外延硅层的衬底处理设备。

技术介绍

1、随着半导体工业的进步，层的外延生长，特别是在较低处理温度下，可能变得更加重要。这可能是由于各种新颖的集成方案，例如器件的3d堆叠、掩埋电源轨(bpr)集成、源极/漏极接触层的形成和高k/金属栅极优先集成方案。

2、低温外延膜生长带来的挑战可能与层的缺陷形成和外延击穿有关，这可能导致电性能差的非晶材料。此外，低温外延在保持对介电层的选择性和实现高生长速率方面会带来挑战。

3、因此，可能需要提供能够在较低处理温度下实现单晶外延层生长同时克服挑战的方法。

技术实现思路

1、提供本
技术实现思路
是为了以简化的形式介绍一些概念。这些概念在以下公开的示例实施例的详细描述中被进一步详细描述。本
技术实现思路
不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。

2、本公开的目的是提供在较低处本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于在衬底上外延生长磷掺杂硅层的方法，该方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，当衬底暴露于硅前体时，衬底暴露于磷前体。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述卤化磷是氯化磷。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述氯化磷是三氯化磷。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，在衬底暴露于硅前体及磷前体期间，处理室的温度至多为600℃。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述衬底还包括第二表面，并且其中，所述磷掺杂硅层相对于第二表面选择性地外延生长在所述第一表面上，并且其中第二表面不同...

【技术特征摘要】

1.一种用于在衬底上外延生长磷掺杂硅层的方法，该方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，当衬底暴露于硅前体时，衬底暴露于磷前体。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述卤化磷是氯化磷。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述氯化磷是三氯化磷。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，在衬底暴露于硅前体及磷前体期间，处理室的温度至多为600℃。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述衬底还包括第二表面，并且其中，所述磷掺杂硅层相对于第二表面选择性地外延生长在所述第一表面上，并且其中第二表面不同于第一表面。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二表面是非单晶的。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述非单晶表面是电介质表面。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述单晶表面包括单晶硅表面。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述单晶硅表面包括第一单晶硅表面和第二单晶硅表面中的至少一个，第二单晶硅表面不同于第一单晶硅表面。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一单晶硅表面由si{100}...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·马罗扎斯，R·卡扎卡，G·戴耶，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：