一种刻蚀装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体技术领域，公开了本发明专利技术提供了一种刻蚀装置，包括：槽体，内设有容置部，容置部适于对应安设晶圆；喷淋管组，包括至少两个喷淋单管，喷淋单管穿设在槽体内，并围设在容置部外侧，喷淋单管沿自身长度方向排列设置有若干相互间隔的喷淋口；调节单元，与喷淋管组对应连接，适于在自身或外力作用下驱动喷淋单管转动，以调节其上喷淋口的朝向。设置调节单元，可以在喷淋过程中实现有针对性的调节和修正，保证喷出的化学液均布在晶圆上，同时结构运动幅度较小，难以造成晶圆的晃动，有效降低或去除晶圆碎片和磨损的风险，同时，可以根据刻蚀的工艺的变化来对应调节喷淋管上喷淋口的朝向，具有较高的灵活度和适应性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体设备，具体涉及一种刻蚀装置。

技术介绍

1、对晶圆进行湿法刻蚀时，需要将晶圆放入化学液中浸泡，利用化学液的腐蚀作用将未覆盖光刻胶的部分腐蚀溶解。在刻蚀过程中，刻蚀的均匀性是衡量湿法刻蚀工艺的重要参数，对刻蚀产品的质量影响较大，若出现不完全刻蚀或者过刻蚀都会造成产品质量降低，甚至导致产品报废。因此，在湿法刻蚀工作中需要严格控制刻蚀均匀性，从而保障刻蚀产品的质量。

2、目前，在晶圆的刻蚀处理过程中，晶圆一般装在载具中，但是，晶圆与载具卡槽的接触位置，会影响化学液对晶圆的刻蚀效果，会导致晶圆边缘与中心的刻蚀效果存在差异，影响湿法刻蚀的均匀性。

3、现有技术中，可以在工艺槽中添加搅拌装置，以提高化学液浓度的均匀分布程度，也可以在工艺槽中喷淋管上方增加均流板，改变化学液的流动方向，使化学液均匀分布到每片晶圆，还可以在工艺槽下方增加转轴，带动晶圆旋转，从而使晶圆四周和中心位置的化学液浓度均匀分布。

4、但是，搅拌装置搅拌化学液的时候，化学液会使槽内的晶圆发生晃动，增加晶圆碎片的风险；均流板安装在槽内，如果刻蚀的工本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种刻蚀装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述调节单元包括：

3.根据权利要求2所述的刻蚀装置，其特征在于，所述调节组件包括：

4.根据权利要求2或3所述的刻蚀装置，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的刻蚀装置，其特征在于，所述协同组件(5)包括：

6.根据权利要求5所述的刻蚀装置，其特征在于，各个所述调节组件的导轨件(52)同向延伸并一体设置。

7.根据权利要求5或6所述的刻蚀装置，其特征在于，所述驱动组件(4)包括：

8.根据权利要求3、5-6任一项所述的刻...

【技术特征摘要】

1.一种刻蚀装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述调节单元包括：

3.根据权利要求2所述的刻蚀装置，其特征在于，所述调节组件包括：

4.根据权利要求2或3所述的刻蚀装置，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的刻蚀装置，其特征在于，所述协同组件(5)包括：

6.根据权利要求5所述的刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鹏，邵玉林，请求不公布姓名，王佳伟，
申请(专利权)人：无锡琨圣芯成科技有限公司，
类型：发明
国别省市：