液晶显示器面板和掩模板制造技术

本发明专利技术涉及一种液晶显示器面板和掩模板，其中液晶显示器面板包括阵列基板和彩膜基板，在所述阵列基板有效区域的像素区域内形成有对位精度测量检查标记，在所述彩膜基板上与所述对位精度测量检查标记对应的位置形成有黑矩阵，所述黑矩阵用于遮挡所述对位精度测量检查标记。掩模板包括：重复使用区域和非重复使用区域，在所述重复使用区域和非重复使用区域的有效区域中设置有对位精度测量检查标记。本发明专利技术有效地解决了由对位不良而引发的问题，使得缝合对接（Ｓｔｉｔｃｈ）区域的对位精度可以控制在所需要的范围之内，避免了薄膜晶体管液晶显示器（ＴＦＴ－ＬＣＤ）出现不良问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示器制造领域，尤其涉及一种液晶显示器面板和掩模板。
技术介绍
随着薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display, 以下简称TFT-LCD)技术的迅猛发展，TFT-LCD面板的尺寸也不断增大， 各TFT-LCD的厂家纷纷斥巨资建设新的高世代生产线，以生产出更大尺寸的 面板。但是，新建一条新的生产线，特别是更高世代的生产线，需要巨大的 投资，且具有很大的风险，因此，在目前的生产线上开发及部分生产较大尺 寸的面板成为解决上述问题的一个行之有效的方法，如图1所示，为采用目 前的生产线生产较大尺寸面板的一示意图，该方法具体为利用若干个较小 尺寸的掩模板(Mask)进行多次分步曝光，形成较大尺寸的面板，再通过一 定的设计和排布来实现较大尺寸面板的功能。寸的面板，但在两次曝光区域的对接区域(如图1中IO所示的区域)，经常会出 现由缝合对接(Stitch)和层间覆盖(Overlay)超标引起的一系列问题，这也 是一直以来技术上难以突破的难关。如图2所示，为采用目前的生产线生产 较大尺寸面板的另 一示意图，其问题的关键在于,一般的掩模板都将工艺中的 对位标记(Mark)(用图2中的星形来表示)以及对位精度测量检查标记(用 图2中的三角形来表示)设置于有效(Active)区域之外。对于尺寸较小的面 板，由于面板的形成不需要采用掩模板进行多次分步曝光，在工艺过程中，其 对位精度较易控制在设计所需要的范围之内；但对于采用掩模板经过多次分步曝光形成的较大尺寸的面板，由于掩模板的对位标记和对位精度测量检查 标记设置于有效区域之外，所以较大尺寸面板的对位标记和对位精度测量检 查标记也形成于有效区域之外，这样不能保证较大尺寸面板所有的有效区域， 特别是采用掩模板进行分步曝光的对接区域的对位精度控制在所需要的范围之内，并且无法对此类区域进行对位精度检查与控制，导致TFT-LCD出现不 良问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种液晶显示器面板和掩模板，使得有效区域的 对位精度控制在所需要的范围之内，避免TFT-LCD出现不良问题。本专利技术提供了一种掩模板，包括重复使用区域和非重复使用区域，在所 述重复使用区域和非重复使用区域的有效区域中设置有对位精度测量检查标 记。本专利技术提供了一种液晶显示器面板，包括阵列基板和彩膜基板，在所述 阵列基板有效区域的像素区域内形成有对位精度测量检查标记，在所述彩膜 基板上与所述对位精度测量检查标记对应的位置形成有黑矩阵，所述黑矩阵 用于遮挡所述对位精度测量检查标记。本专利技术通过采用在有效区域中设置了对位精度测量检查标记的掩模板， 在液晶显示器面板的像素区域内形成了对位精度测量检查标记，有效地解决 了由对位不良而引发的问题，保证了较大尺寸面板所有的有效区域的对位精 度控制在所需要的范围内，避免了 TFT-LCD出现不良问题。附图说明图1为采用目前的生产线生产较大尺寸面板的一示意图； 图2为采用目前的生产线生产较大尺寸面板的另一示意图； 图3为本专利技术掩模板一实施例的示意图；图4为本专利技术液晶显示器面板一实施例中阵列基板的示意图； 图5为本专利技术液晶显示器面板实施例中阵列基板一像素结构的示意图； 图6为本专利技术液晶显示器面板实施例中彩膜基板一像素结构的示意图； 图7为本专利技术液晶显示器面板实施例中阵列基板另一像素结构的示意图。具体实施方式下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。 如图3所示，为本专利技术掩模板一实施例的示意图，该掩模板包括三个区 域，分别为区域21、区域22和区域23,其中区域22为重复使用区域，在一 次光刻工艺中被多次重复使用，区域21和区域23为非重复使用区域，在一 次光刻工艺中仅使用一次。区域21包括有效区域(图中A所示)和非有效 区域(图中A'所示)，区域22包括有效区域(图中B所示)和非有效区域 (图中B'所示)，区域23包括有效区域(图中C所示)和非有效区域(图 中C'所示)。与现有技术相比，本实施例不仅在非有效区域A'、 B'和C中设置有对位 标记(用星形来表示)和对位精度测量检查标记(用三角形来表示)，而且 在重复使用区域22的有效区域B及非重复使用区域21 、 23的有效区域A、 C中设置有对位精度测量检查标记，还定义了该对位精度测量检查标记在掩 模板上的精确位置和在采用该掩模板形成的面板上的精确位置。本实施例中，对位精度测量检查标记可以设置在A、 B和C的任意位置， 其中较优的实施方式为在非重复使用区域21的有效区域A的右边缘区域、 非重复使用区域23的有效区域C的左边缘区域、重复使用区域22的有效区 域B的左边缘区域和右边缘区域中设置对位精度测量检查标记，即在图3所 示的灰色区域中设置对位精度测量检查标记。上述对位精度测量检查标记的个数可以为一个以上，A、 B、 C每个区域上都可以有一个以上的对位精度测量检查标记。按照功能划分，对位精度测量检查标记可以划分为总体倾斜标记(Total Pitch Mark)、缝合对接标记(Stitch Mark)以及层间覆盖标记(Overlay Mark)。综上所述，本实施例与现有技术的区别是在掩模板的有效区域中设置了 对位精度测量检查标记，这样，当采用该掩模板形成较大尺寸面板的阵列基 板时，在阵列基板的有效区域中也形成了对位精度测量检查标记，保证了较 大尺寸面板所有的有效区域的对位精度控制在所需要的范围内，避免了 TFT-LCD出现不良问题。本专利技术液晶显示面板的实施例具体包括阵列基板和彩膜基板，其中阵列 基板采用图3所示的掩模板制造而成。如图4所示，为本专利技术液晶显示器面 板一实施例中阵列基板的示意图，由于掩模板的有效区域中设置有对位精度 测量检查标记，则由该掩模板制造而成的阵列基板的有效区域中也形成有对 位精度测量检查标记。具体地说，图4所示的阵列基板由图3所示的掩模板 经过多次分步曝光形成，该阵列基板的有效区域包括由掩模板分步曝光形成 的多个曝光区域，其中曝光区域a由图3中的区域A—次曝光形成，曝光区 域c由图3中的区域C一次曝光形成，曝光区域b由图3中的区域B多次曝 光形成，虚线表示重复形成的区域，重复的次数因面板的尺寸以及掩模板的 设计而不同。如图4所示，本实施例的阵列基板包括多个分步曝光形成的曝光区域， 图中区域20为相邻的每两个曝光区域的对接区域，若本实施例使用的掩模板 为上述较优的实施方式，即在图3所示的灰色区域中设置有对位精度测量检 查标记，则由该掩模板制造而成的阵列基板在区域20中形成了对位精度测量 检查标记。为了不影响面板的性能，本专利技术具体在阵列基板有效区域的像素区域内 形成有对位精度测量检查标记，在彩膜基板上与对位精度测量检查标记对应 的位置形成有黑矩阵，该黑矩阵用于遮挡对位精度测量检查标记。6下面以图4中对位精度测量^r查标记33所在的一个^f象素结构为例，进一 步介绍本专利技术的技术方案。如图5所示，为本专利技术液晶显示器面板实施例中阵列基板一像素结构的 示意图，该像素结构包括TFT结构31、像素区域32以及对位精度测量检查 标记33,其中采用本专利技术掩模板将对位精度测量检查标记33形成在像素区 域32内。本专利技术中对位精度测量检本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩模板，包括重复使用区域和非重复使用区域，其特征在于，在所述重复使用区域和非重复使用区域的有效区域中设置有对位精度测量检查标记。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕敬，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]