IGBT器件的制造方法及IGBT器件技术

本发明专利技术提供了一种IGBT器件的制造方法及IGBT器件，该制造方法包括如下步骤：提供一衬底，在衬底的第一表面形成第一绝缘层，第一绝缘层包括第一氧化硅层、第一氮化硅层和第二氧化硅层；刻蚀第一绝缘层和衬底，形成多个接触沟槽；去除第二氧化硅层，在接触沟槽的侧壁和底壁形成第二绝缘层，并在具有所述第二绝缘层的接触沟槽内填充多晶硅形成第一填充；去除第一填充与所述接触沟槽的一侧壁之间的所述第二绝缘层并形成间隙；去除所述第一填充形成空隙；去除所述第一绝缘层，并在所述衬底和所述空隙形成第三绝缘层，在所述空隙填充多晶硅形成第二填充并回刻；在所述衬底的第一表面和第二表面分别制作IGBT器件的正面结构和背面结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件及集成电路制造，具体地说，涉及一种igbt器件的制造方法及igbt器件。

技术介绍

1、绝缘栅双极晶体管(insulate-gate bipolar transistor，igbt)作为一种混合型功率器件，具有金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)结构输入和双极性结构输出的特点，因此，既具有mosfet输入阻抗高、驱动电路功率小、驱动简单、开关速度快、开关损耗小等优点，又具有双极性功率晶体管电流密度大、电流处理能力强、导通饱和压降低等优点，广泛应用于各种功率开关应用场合，目前它们已经被应用于高速开关的应用中，如开关式电源、电焊机和感应加热系统。对于高速开关的应用，一般通过采用场终止结构和优化集电极注入效率，可以降低关断期间的拖尾电流。为了进一步降低开关损耗，需减小密勒电容，以提高开/关过程中集电极-发射极电压的dv/dt。

2、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此可以包本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种IGBT器件的制造方法，其特征在于，该制造方法包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的IGBT器件的制造方法，其特征在于，S300步骤中的在所述接触沟槽的侧壁和底壁形成第二绝缘层为采用淀积工艺在所述接触沟槽的侧壁和底壁形成第三氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的IGBT器件的制造方法，其特征在于，S400步骤中通过掩膜图案湿法腐蚀去除所述第一填充与所述接触沟槽的一侧壁之间的所述第二绝缘层并形成间隙。

4.根据权利要求1所述的IGBT器件的制造方法，其特征在于，S600步骤中在所述衬底和所述空隙形成第三绝缘层步骤为采用热生长工艺在所述衬底和所述空...

【技术特征摘要】

1.一种igbt器件的制造方法，其特征在于，该制造方法包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的igbt器件的制造方法，其特征在于，s300步骤中的在所述接触沟槽的侧壁和底壁形成第二绝缘层为采用淀积工艺在所述接触沟槽的侧壁和底壁形成第三氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的igbt器件的制造方法，其特征在于，s400步骤中通过掩膜图案湿法腐蚀去除所述第一填充与所述接触沟槽的一侧壁之间的所述第二绝缘层并形成间隙。

4.根据权利要求1所述的igbt器件的制造方法，其特征在于，s600步骤中在所述衬底和所述空隙形成第三绝缘层步骤为采用热生长工艺在所述衬底和所述空隙形成第四氧化硅层。

5.根据权利要求1所述的igbt器件的制造方法，其特征在于，所述igbt器件的正面结构包括设置于所述衬底的第一表面的载流子存储掺杂区、阱区、发射极区、第四绝缘层和正面金属层；

6.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹功勋，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：