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本发明提供了一种IGBT器件的制造方法及IGBT器件，该制造方法包括如下步骤：提供一衬底，在衬底的第一表面形成第一绝缘层，第一绝缘层包括第一氧化硅层、第一氮化硅层和第二氧化硅层；刻蚀第一绝缘层和衬底，形成多个接触沟槽；去除第二氧化硅层，在接...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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