【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种鼓泡槽，更具体的说涉及一种单晶硅片清洗前处理的鼓泡槽。
技术介绍
1、单晶硅片研磨起盘后不能马上插入清洗花篮中，需要一个等待的时间，并且需保证单晶硅片不能干燥，这就需要一个装置来保存研磨后的单晶硅片。目前是利用压缩空气鼓泡方式保护磨后硅片；但是，研磨后的单晶硅片容易干燥，易被氧化，不能长时间放置。
技术实现思路
1、本技术的目的在于针对现有技术中存在的上述问题，提供一种单晶硅片清洗前处理的鼓泡槽。
2、为实现上述目的，本技术的技术解决方案是：一种单晶硅片清洗前处理的鼓泡槽，包括槽体和压缩空气罐，所述的槽体底部铺设有管道，所述的管道上开设有小孔，管道上部覆盖有盖板，所述的盖板上开设有通孔，所述的管道连通有传输管，所述的传输管通过管路与压缩空气罐连通。
3、所述的盖板上的通孔均匀分布。
4、与现有技术相比较，本技术的有益效果是：
5、1.本技术保证研磨后的单晶不会干燥，单晶硅片直接与纯水接触，不会被氧化。
6、2.本装置在花篮摆好后继续鼓泡，会将单晶硅片上附着的氧化铝粉等异物冲掉一部分，减少了清洗的压力；保证长时间放置，减少操作人员的工作压力，不用急于将硅片插好放入清洗机内。
【技术保护点】
1.一种单晶硅片清洗前处理的鼓泡槽，其特征在于：包括槽体(1)和压缩空气罐(2)，所述的槽体(1)底部铺设有管道(3)，所述的管道(3)上开设有小孔(4)，管道(3)上部覆盖有盖板(5)，所述的盖板(5)上开设有通孔(6)，所述的管道(3)连通有传输管(7)，所述的传输管(7)通过管路与压缩空气罐(2)连通。
2.根据权利要求1所述的一种单晶硅片清洗前处理的鼓泡槽，其特征在于：所述的盖板(5)上的通孔(6)均匀分布。
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅片清洗前处理的鼓泡槽，其特征在于：包括槽体(1)和压缩空气罐(2)，所述的槽体(1)底部铺设有管道(3)，所述的管道(3)上开设有小孔(4)，管道(3)上部覆盖有盖板(5)，所述的盖板(5)上开设有通孔...
【专利技术属性】
技术研发人员：薛佳伟，王海军，诸葛增军，
申请(专利权)人：天津众晶半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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