半导体元件制造技术

本申请提供一种半导体元件。一隔离区设置在具有第一导电类型的第一高压井区与第二高压井区之间，并具有第二导电类型。具有第二导电类型的一本体区形成在隔离区之上且设置在第一和第二高压井区之间。具有第一导电类型的一掺杂区形成在本体区之中。具有第一导电类型的第一和第二漏极/源极区分别形成于第一和第二高压井区之中。一第一栅极结构覆盖本体区的一第一通道区与一第一漂移氧化区。一第二栅极结构覆盖本体区的一第二通道区与一第二漂移氧化区。第一栅极结构电性连接于第二栅极结构。第一和第二漂移氧化区是分离于本体区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例是有关于半导体元件，且特别是有关于横向扩散金属氧化物半导体元件(laterally diffused metal oxide semiconductor，ldmos)。

技术介绍

1、横向扩散金属氧化物半导体(ldmos)元件是一种典型的高压元件，其可与互补式金属氧化物半导体工艺整合，藉以在单一小片上制造控制、逻辑以及电源开关。ldmos元件在操作时必须具有高崩溃电压(breakdown voltage)以及低的开启电阻(turn-onresistance，ron)。

2、图1是显示一种现有ldmos元件10的剖面图。如图1所示，ldmos元件10包括p型基底15、n型埋层20、p型本体区25、n型漂移区32、p型井区34、漂移氧化(drift oxide)区40、p型掺杂区41和43、n型掺杂区42、44和46以及栅极结构50。栅极结构50覆盖于漂移氧化区40、n型漂移区32、p型本体区25和p型井区34。p型掺杂区41形成ldmos元件10的基极(bulk)端b。n型掺杂区42形成ldmos元件10的源极端s。栅极结构50形本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第一高压井区是经由所述隔离区和所述本体区而分离于所述第二高压井区。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第一掺杂区被所述本体区所包围，以及所述第一掺杂区的顶表面与所述本体区的顶表面为共平面。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，每一所述第一漂移氧化区和所述第二漂移氧化区具有对称性结构。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第一漂移氧化区和所述第二漂移氧化区的底表面对齐于所述第一掺杂区的顶表面。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第一高压井区是经由所述隔离区和所述本体区而分离于所述第二高压井区。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第一掺杂区被所述本体区所包围，以及所述第一掺杂区的顶表面与所述本体区的顶表面为共平面。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，每一所述第一漂移氧化区和所述第二漂移氧化区具有对称性结构。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第一漂移氧化区和所述第二漂移氧化区的底表面对齐于所述第一掺杂区的顶表面。

6.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第一漏极/源极区包括：

7.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第二漏极/源极区包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：陈柏安，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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