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本申请提供一种半导体元件。一隔离区设置在具有第一导电类型的第一高压井区与第二高压井区之间，并具有第二导电类型。具有第二导电类型的一本体区形成在隔离区之上且设置在第一和第二高压井区之间。具有第一导电类型的一掺杂区形成在本体区之中。具有第一导电...
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