半导体结构及其形成方法技术

本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：外延层，包括相对的第一面和第二面；第一掺杂区，自所述外延层的部分第一面向所述外延层中延伸；第二掺杂区，位于所述外延层中且与所述第一掺杂区堆叠分布，并与所述第一掺杂区的掺杂类型不同；隔离结构，位于所述第一掺杂区的两侧，且自所述外延层的部分第二面延伸至所述第一面；第一引线结构，用于在所述外延层的第一面引出所述第一掺杂区；第二引线结构，用于在所述外延层的第二面引出所述第二掺杂区。所述半导体结构能够有效提高小尺寸SPAD的感光特性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、光子飞行时间技术(photon time of flight)是利用光信号发射与接收的时间差(d-tof)或相位差(i-tof)进行距离测量的一种方法，d-tof的核心像素感光单光子雪崩二极管(single photon avalanche diode，spad)是工作在反向雪崩击穿区域的二极管，可以通过光子在半导体中产生光生载流子，光生载流子漂移进入spad的反偏pn结耗尽区中的强电场内，就会触发雪崩击穿产生大电流信号，从而实现单光子信号的探测。

2、在设计spad的结构时，若spad的尺寸较大，则往往有有效感光区占的面积比例较大，可以较好的改善光子探测效率(photon detection efficiency，pde)，但同时spad的分布密度较低且暗计数率(dark count rate，dcr)较低。而将spad的尺寸缩小，有利于提高spad的分布密度(集成效率)和dcr性能，但同时有效感光区的面积被电学通路挤压，导致pde大幅减小，同时为保证不出现侧向击穿本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂区中还包括用于欧姆接触的第三掺杂区，且所述第三掺杂区与所述第一引线结构连接。

3.根据权利要求2所述半导体结构，其特征在于，所述第一引线结构包括：

4.根据权利要求3所述半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第一介质层，且所述第一介质层位于所述外延层的第一面、所述隔离结构的底部、所述第一掺杂区以及所述第三掺杂区上，其中所述第一引线结构位于所述第一介质层中。

5.根据权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述第二掺杂区中还包括用于欧姆接触...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂区中还包括用于欧姆接触的第三掺杂区，且所述第三掺杂区与所述第一引线结构连接。

3.根据权利要求2所述半导体结构，其特征在于，所述第一引线结构包括：

4.根据权利要求3所述半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第一介质层，且所述第一介质层位于所述外延层的第一面、所述隔离结构的底部、所述第一掺杂区以及所述第三掺杂区上，其中所述第一引线结构位于所述第一介质层中。

5.根据权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述第二掺杂区中还包括用于欧姆接触的第四掺杂区，且所述第四掺杂区与所述第二引线结构连接。

6.根据权利要求5所述半导体结构，其特征在于，所述第二引线结构包括：

7.根据权利要求6所述半导体结构，其特征在于，所述沟槽填充引线包括：沟槽，自所述外延层的部分第二面延伸至所述第四掺杂区中；

8.根据权利要求6所述半导体结构，其特征在于，所述第二互连引线包括：第二通孔连线，与所述沟槽填充引线连接；

9.根据权利要求8所述半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第二介质层，且...

【专利技术属性】
技术研发人员：阎大勇，王丙泉，王志高，张志华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：