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本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：外延层，包括相对的第一面和第二面；第一掺杂区，自所述外延层的部分第一面向所述外延层中延伸；第二掺杂区，位于所述外延层中且与所述第一掺杂区堆叠分布，并与所述第一掺杂区的掺杂类型不同；隔...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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