射频开关结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种射频开关结构及其形成方法，包括：从射频输入端到接地端之间依次串联的第一级到第N级共N级晶体管堆栈；晶体管堆栈包括自下而上的基底、介质层和源漏金属层；基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的基底中形成有漏区和源区；源金属层与源区对应连接，漏金属层与漏区对应连接；在基底上，每级晶体管堆栈的周侧区域均设置有连接到地信号端的调整金属块，从第一级到第N级的各级晶体管堆栈(开关)与地信号端的寄生电容逐渐增大。晶体管堆栈与地信号端的寄生电容越小，对应晶体管堆栈分压越小。减小靠近射频输入端的晶体管堆栈的分压，使得整体电压分布均匀，射频开关结构总的射频击穿电压特性得到了改善。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路制造，具体涉及一种射频开关结构及其形成方法。

技术介绍

1、射频开关结构是一种重要的开关器件，属于通讯领域信号的开关，可应用于有线传输射频信号。射频开关结构包括多级依次串联耦接的晶体管堆栈，可用于天线调谐以及其它各种射频(rf)开关应用的无源组件。晶体管堆栈配置允许很多功能，包括电压和功率处理能力。例如，fet(场效应晶体管)堆栈可以被用来允许rf开关在失配的情况下经受高功率。多级依次串联耦接的晶体管堆栈中，各级晶体管堆栈的电压分布是不均匀的，尤其靠近射频输入端的两级晶体管堆栈分压最大，所以电压击穿会首先发生在靠近射频输入端的两级晶体管堆栈上。因此，射频开关结构，存在多级晶体管堆栈之间的电压偏置分布不平衡的问题，而电压偏置分布不平衡又会进一步影响射频开关结构的功率处理能力。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种射频开关结构及其形成方法，通过设置调整金属块，使从第一级到第n级的各级晶体管堆栈(开关)与地信号端的寄生电容逐渐增大。晶体管堆栈与地信号端的寄生电容越小，对应晶体管堆栈分本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种射频开关结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的射频开关结构，其特征在于，

3.如权利要求1所述的射频开关结构，其特征在于，

4.如权利要求1所述的射频开关结构，其特征在于，

5.如权利要求4所述的射频开关结构，其特征在于，

6.如权利要求1所述的射频开关结构，其特征在于，

7.如权利要求6所述的射频开关结构，其特征在于，

8.如权利要求7所述的射频开关结构，其特征在于，所述射频开关结构还包括：

9.如权利要求8所述的射频开关结构，其特征在于，

10.一种形成权利要...

【技术特征摘要】

1.一种射频开关结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的射频开关结构，其特征在于，

3.如权利要求1所述的射频开关结构，其特征在于，

4.如权利要求1所述的射频开关结构，其特征在于，

5.如权利要求4所述的射频开关结构，其特征在于，

6.如权利要求1所述的射...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘张李，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：