一种MOSFET过流保护电路和MOSFET器件制造技术

本发明专利技术公开了一种MOSFET过流保护电路和MOSFET器件。该过流保护电路包括：第一电阻、电流检测电路、逻辑比较电路和驱动电路；电流检测电路用于检测流经MOSFET的电流并输出给逻辑比较电路；逻辑比较电路用于根据检测的流经MOSFET的电流判断MOSFET是否发生过流故障，并在未发生过流故障时输出第一电平信号至驱动电路，在发生过流故障时输出第二电平信号至驱动电路；驱动电路用于根据第一电平信号或第二电平信号向MOSFET提供导通或关断所需的驱动信号。通过设置第一电阻、电流检测电路、逻辑比较电路以及驱动电路，实现对MOSFET的过流保护，并当发生过流故障时能够在更短的时间内关断器件，以保护器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电力电子检测，尤其涉及一种mosfet过流保护电路和mosfet器件。

技术介绍

1、mosfet相较于传统功率管igbt，可以在高频率下工作，同时具有低漏电流和开关损耗，有利于提高电子设备的能效。此外，mosfet还具备抗辐射的特性，可以在高辐射环境中工作，且体二极管的恢复损耗小，可用于实现高速开关。但是与igbt相比，更薄的栅极介电层和更小的芯片尺寸导致mosfet的短路可靠性更差，因此其需要性能更优异的短路保护电路。

2、目前有几种常见的过流保护方式应用于mosfet。一种是去饱和技术，其通过直接检测器件的漏源极电压来判断器件是否发生故障，但是该技术会受到高电压变化率的影响，而且延时较高。另一种方法是采样器件的栅极电荷特性来评估米勒平台是否存在以判断器件是否发生故障，但该方法存在一定的局限性，如检测电路复杂，数据处理难度大，评估结果受环境影响大，容易出现误判等。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种mosfet过流保护电路和mosfet器件，以实现mosfet的过流保护，缩短本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MOSFET过流保护电路，其特征在于，包括：第一电阻、电流检测电路、逻辑比较电路和驱动电路；

2.根据权利要求1所述的MOSFET过流保护电路，其特征在于，所述电流检测电路包括二极管和第一电容；其中，所述二极管的阳极与所述第一电阻的第二端电连接，所述二极管的阴极分别与所述第一电容的第一端和所述逻辑比较电路电连接；所述第一电容的第二端分别与所述MOSFET的漏极、所述第一电阻的第一端以及所述逻辑比较电路电连接。

3.根据权利要求1所述的MOSFET过流保护电路，其特征在于，所述逻辑比较电路包括电流电压转换单元、电压比较单元和电平信号输出单元；其中，所述电流电...

【技术特征摘要】

1.一种mosfet过流保护电路，其特征在于，包括：第一电阻、电流检测电路、逻辑比较电路和驱动电路；

2.根据权利要求1所述的mosfet过流保护电路，其特征在于，所述电流检测电路包括二极管和第一电容；其中，所述二极管的阳极与所述第一电阻的第二端电连接，所述二极管的阴极分别与所述第一电容的第一端和所述逻辑比较电路电连接；所述第一电容的第二端分别与所述mosfet的漏极、所述第一电阻的第一端以及所述逻辑比较电路电连接。

3.根据权利要求1所述的mosfet过流保护电路，其特征在于，所述逻辑比较电路包括电流电压转换单元、电压比较单元和电平信号输出单元；其中，所述电流电压转换单元分别与所述电流检测电路和所述电压比较单元电连接；所述电压比较单元还与所述电平信号输出单元电连接；所述电平信号输出单元还与所述驱动电路电连接。

4.根据权利要求3所述的mosfet过流保护电路，其特征在于，所述电流电压转换单元包括第一放大器和第二电容；其中，所述第一放大器的第一输入端和第二输入端均与所述电流检测电路电连接；所述第一放大器的输出端分别与所述第二电容的第一端和所述电压比较单元电连接；所述第二电容的第二端接地。

5.根据权利要求4所述的mosfet过流保护电路，其特征在于，所述电流电压转换单元还包括第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李想，周宇，金科，许国盛，张乐涛，夏克凡，冯瀚飞，陈奕安，李森文，曹昕，朱睿，
申请(专利权)人：国网江苏省电力有限公司南京供电分公司，
类型：发明
国别省市：