一种低插损射频开关电路制造技术

本发明专利技术公开了一种低插损射频开关电路，属于射频开关和集成电路技术领域，包括ANT天线端隔直匹配网络、TX发射端隔直匹配网络以及RX接收端隔直匹配网络，并设置有ANT天线端口、TX发射端口以及RX接收端口，TX支路通过TX支路开关管网络实现通道导通和关断，RX支路通过RX串联电感网络、RX支路开关管网络和RX并联隔直网络实现通道导通和关断。本发明专利技术实现了ANT‑TX和ANT‑RX的单刀双掷射频开关功能，降低了ANT‑RX通道的开关插损，并且可以在没有负电压的情况下依靠等效负偏压偏置实现开关的高耐功率性能，解决了现有射频开关存在提高开关的功率处理能力的同时，不能保持或降低开关的插入损耗的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于射频开关和集成电路，具体涉及一种低插损射频开关电路。

技术介绍

1、射频开关是在射频前端系统中用于切换射频信号路径的模块，广泛应用于无线基站、射频前端模组中。在tdd时分双工系统中，射频开关用来实现tx发射模式和rx接收模式的切换。在tx模式中，射频开关需要耐受大功率，将大功率信号从天线端传导到发射端；在rx模式中，射频开关接收射频信号，经过接收通道，将信号传导到射频开关后级的低噪声放大器，射频开关的插入损耗会直接恶化系统的噪声系数。插入损耗和高功率处理能力是射频开关的两个最重要的指标。

2、传统的射频开关常采用串联枝节开关管和并联枝节开关管的架构，串联枝节开关管对射频开关电路是必需的，其导通和关断实现信号的直通和隔离，引入并联枝节开关管是为了进一步提高射频开关端口隔离度。为了提高射频开关的耐功率能力，会采用多个晶体管堆叠的方式，每个晶体管承担一部分峰值电压，但堆叠晶体管的个数越多，射频信号经过堆叠晶体管带来的插入损耗也越大。因此，传统串并结构开关管的射频开关存在插入损耗和高功率处理能力的矛盾，限制了射频开关的功率处理能力进一步提本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低插损射频开关电路，其特征在于，包括ANT天线端隔直匹配网络、TX支路开关管网络、TX发射端隔直匹配网络、RX串联电感网络、RX支路开关管网络、RX并联隔直网络以及RX接收端隔直匹配网络；

2.根据权利要求1所述的低插损射频开关电路，其特征在于，所述ANT天线端隔直匹配网络包括电容C4以及接地电容C5；

3.根据权利要求1所述的低插损射频开关电路，其特征在于，所述TX支路开关管网络包括电阻R5i、电阻R6、电阻R7i、电阻R8、电阻Rds2i以及晶体管M2i，其中，i=1，2，…,m，m表示TX支路开关管网络中开关管的个数；所述晶体管M2i为NMOS管；<...

【技术特征摘要】

1.一种低插损射频开关电路，其特征在于，包括ant天线端隔直匹配网络、tx支路开关管网络、tx发射端隔直匹配网络、rx串联电感网络、rx支路开关管网络、rx并联隔直网络以及rx接收端隔直匹配网络；

2.根据权利要求1所述的低插损射频开关电路，其特征在于，所述ant天线端隔直匹配网络包括电容c4以及接地电容c5；

3.根据权利要求1所述的低插损射频开关电路，其特征在于，所述tx支路开关管网络包括电阻r5i、电阻r6、电阻r7i、电阻r8、电阻rds2i以及晶体管m2i，其中，i=1，2，…,m，m表示tx支路开关管网络中开关管的个数；所述晶体管m2i为nmos管；

4.根据权利要求1所述的低插损射频开关电路，其特征在于，所述tx支路开关管网络包括电阻r5i、电阻r6、电阻rds2i、晶体管m2i以及晶体管m3i，其中，i=1，2，…,m，m表示tx支路开关管网络中开关管的个数；所述晶体管m2i为nmos管，所述晶体管m3i为pmos管；

5.根据权利要求1所述的低插损射频开关电路，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓春，李圣君，史文新，庞博，陆雨茜，杨德梦，顾珣，王测天，廖学介，邬海峰，
申请(专利权)人：成都嘉纳海威科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：