本申请提供了一种Doherty功率放大器及电子设备，涉及功率放大器领域，能够减少Doherty功率放大器采用裸片(die)的数量。该Doherty功率放大器中，主功放电路包括第一放大管，第一辅功放电路包括第二放大管，第二辅功放电路包括第三放大管。Doherty功率放大器包括高电子迁移率晶体管；该晶体管包括源极、栅极、第一沟道层、第二沟道层、第一漏极、第二漏极；第一漏极与第一沟道层电连接，第二漏极与第二沟道层电连接。第一放大管和第三放大管复用高电子迁移率晶体管的源极。第一放大管和第三放大管复用高电子迁移率晶体管的栅极。高电子迁移率晶体管的第一漏极作为第一放大管的漏极。高电子迁移率晶体管的第二漏极作为第三放大管的漏极。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
pct国内申请，权...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁瑶，汤岑，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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