【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子封装材料制备,涉及一种集成电路封装用负热膨胀材料的制备方法,具体涉及一种超声喷雾热解制备的负热膨胀电子封装材料cu2v2o7及其制备方法。
技术介绍
1、在电子封装中,主要要求集成电路封装后高耐潮、低应力、低α射线、耐浸渍和回流焊,塑封工艺性能好。针对这几个要求,环氧塑封料必须在树脂基体里掺杂无机填料。
2、球形形貌的无机填料优点众多。首先,根据封装材料的填充工艺,填料与环氧树脂混合后,被注射进倒装芯片与基板之间的空隙,依靠毛细管力的作用填充空隙。球的表面流动性好,球形填料与树脂搅拌混合均匀,树脂添加量小,粉的填充量可达到最高。因此,球形化意味着填料填充率的增加,填充率越高,其热膨胀系数越小,导热系数越高,由此生产的电子元器件的使用性能也越好。其次,球形化形成的塑封料应力集中最小,强度最高。当菱形粉的塑封料应力集中为1时,球形粉的应力仅为0.6,因此,球形粉塑封料封装集成电路芯片时,成品率高,并且运输、安装、使用过程中不易产生机械损伤。最后,球形粉摩擦系数小,对模具的磨损小。与菱形粉相比,模具的使用寿命可提
...【技术保护点】
1.一种超声喷雾热解制备负热膨胀电子封装材料Cu2V2O7方法,其特征在于包括如下步骤:
2.如权利要求1所述的超声喷雾热解制备负热膨胀电子封装材料Cu2V2O7方法,其特征在于:所述步骤一中铜离子溶液A采用Cu(CH3COO)2·H2O配制而成,步骤二中钒离子溶液B采用NH4VO3配制而成。
3.如权利要求1所述的超声喷雾热解制备负热膨胀电子封装材料Cu2V2O7方法,其特征在于:所述步骤一中铜离子溶液A采用Cu(NO3)2·3H2O配制而成,步骤二中钒离子溶液B采用NH4VO3配制而成。
4.如权利要求1所述的超声喷雾热解制备负
...【技术特征摘要】
1.一种超声喷雾热解制备负热膨胀电子封装材料cu2v2o7方法,其特征在于包括如下步骤:
2.如权利要求1所述的超声喷雾热解制备负热膨胀电子封装材料cu2v2o7方法,其特征在于:所述步骤一中铜离子溶液a采用cu(ch3coo)2·h2o配制而成,步骤二中钒离子溶液b采用nh4vo3配制而成。
3.如权利要求1所述的超声喷雾热解制备负热膨胀电子封装材料cu2v2o7方法,其特征在于:所述步骤一中铜离子溶液a采用cu(no3)2·3h2o配制而成,步骤二中钒离子溶液b采用nh4vo3配制而成。
4.如权利要求1所述的超声喷雾热解制备负热膨胀电子封装材料cu2v2o7方法,其特征在于:所述步骤一中铜离子溶液a采用cuso4·5h2o配制而成,步骤二中钒离子溶液b采用nh4vo3配制而成。
5.如权利要求1所述的超声喷雾热解制备负热膨胀电子封装材料cu2v2...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡磊,李俊麒,覃飞宇,丁向东,
申请(专利权)人:西安交通大学,
类型:发明
国别省市:
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