一种单分子层SAMs的成膜方法技术

本发明专利技术公开了一种单分子层SAMs的成膜方法，属于一种单分子层SAMs的成膜方法领域，包括以下步骤：基片送入ALD镀膜设备的镀膜腔中；预加热基片；SAMs溶液加热成SAMs气体；镀膜腔内通入SAMs气体吹扫基片，通入的SAMs气体的载气量为20sccm‑70sccm，通入时间为4s‑8s；镀膜腔内通入惰性气体吹扫基片，通入的惰性气体的载气量为50sccm，通入时间为26s‑52s；基片从ALD镀膜设备的镀膜腔中输出。本发明专利技术利用ALD镀膜设备实现SAMs薄膜的沉积，能够有效减少工艺时间，可以减少有机溶剂废液。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能光伏，特别涉及一种单分子层sams的成膜方法。

技术介绍

1、随着钙钛矿电池产业的不断发展，钙钛矿电池结构中sams(self-assemblaedmonolayers，自组装单分子膜)薄膜的连续性，均匀性要求和膜厚误差等要求不断提高。行业对sams薄膜的质量提出了更高的要求。传统的液相法(如涂布法、旋涂法)和气相法制备的sams薄膜，需要经历反复清洗才能形成致密的单分子层薄膜，工艺复杂繁琐，会产生很多有机溶剂废液。

技术实现思路

1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种单分子层sams的成膜方法，解决了传统的液相法(如涂布法、旋涂法)和气相法制备的sams薄膜，需要经历反复清洗才能形成致密的单分子层薄膜，工艺复杂繁琐，会产生很多有机溶剂废液的问题。

2、根据本专利技术实施例的一种单分子层sams的成膜方法，包括以下步骤：

3、s1：将基片送入ald镀膜设备的镀膜腔中；

4、s2：预加热基片；</p>

5、s3本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单分子层SAMs的成膜方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种单分子层SAMs的成膜方法，其特征在于，所述步骤S3中，SAMs溶液的浓度为0.05M-0.3M。

3.根据权利要求2所述的一种单分子层SAMs的成膜方法，其特征在于，所述步骤S3中，SAMs溶液的加热温度为97℃-103℃。

4.根据权利要求1所述的一种单分子层SAMs的成膜方法，其特征在于，所述步骤S2中，基片的预加热时间为2min-4min。

5.根据权利要求1所述的一种单分子层SAMs的成膜方法，其特征在于，所述步骤S2中，基片的预加热温度为...

【技术特征摘要】

1.一种单分子层sams的成膜方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种单分子层sams的成膜方法，其特征在于，所述步骤s3中，sams溶液的浓度为0.05m-0.3m。

3.根据权利要求2所述的一种单分子层sams的成膜方法，其特征在于，所述步骤s3中，sams溶液的加热温度为97℃-103℃。

4.根据权利要求1所述的一种单分子层sams的成膜方法，其特征在于，所述步骤s2中，基片的预加热时间为2min-4min。

5.根据权利要求1所述的一种单分子层sams的成膜方法，其特征在于，所述步骤s2中，基片的预加热温度为80℃-100℃。

6.根据权利要求1所述的一种单分子...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈麒麟，苏超颖，林晓冰，满小花，盛江，李信达，陈厚模，
申请(专利权)人：深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：