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本发明公开了一种单分子层SAMs的成膜方法，属于一种单分子层SAMs的成膜方法领域，包括以下步骤：基片送入ALD镀膜设备的镀膜腔中；预加热基片；SAMs溶液加热成SAMs气体；镀膜腔内通入SAMs气体吹扫基片，通入的SAMs气体的载气量为2...
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