一种铜@银@有机层复合颗粒基低温钎料片及其制备方法技术

一种铜@银@有机层复合颗粒基低温钎料片及其制备方法，先对铜粉进行表面活化处理，再在其表面沉积银层，然后用有机包覆层对银层保护，得到‑表面有机包覆层厚度可控的铜@银@有机包覆层结构，再将干燥后的颗粒在10～100MPa的压力下压制成低温钎料片。本发明专利技术的钎料片保留了纳米颗粒的低温烧结性，满足了宽禁带半导体功率器件的高温服役、低温封装要求；采用多尺度复合结构颗粒混合压制成钎料片，克服了目前焊膏烧结孔隙率过高的问题，且省去了焊膏烧结前的固化操作，缩短了烧结时间并提高了封装效率；同时颗粒表面的有机包裹层厚度可控，有效避免了内层金属颗粒的氧化及焊接孔洞缺陷的出现，在大功率器件封装领域具有非常好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于纳米封装材料领域，涉及一种核壳型低温钎料片及其制备方法，适用于电子行业集成电路元器件的封装互连，尤其适用于高温、大功率服役的宽禁带半导体器件的低温封装互连。

技术介绍

1、功率器件是电力电子系统的核心。随电力电子系统的高速发展，功率器件也不断朝着大功率、高温、高集成度方向发展，传统的硅(si)半导体器件无法满足需求，而以碳化硅(sic)、氮化镓(gan)为代表的宽禁带半导体器件具有优良的耐高温、高压、高频、抗辐照、损耗低，开关快等特性，在大功率电力电子系统中扮演了越来越重要的角色，广泛应用于新能源汽车电路、车载逆变器等部位，深受新能源汽车、光伏等领域的重视。

2、封装是大功率器件实现功能的最后关键环节。大功率器件服役时内部温度往往较高，而宽禁带半导体功率器件在300℃-500℃的高温环境下仍具有优异的性能。但传统的硅基器件封装用材料如软钎焊料、聚合物材料等，熔点基本都在300℃以下，不能耐受300℃以上的高温服役环境；而其他系列的高熔点硬焊料，需要在熔点以上的温度下进行高温封装，造成器件内部封装残留应力很大，大幅降低器件可靠性。因本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种铜@银@有机层复合颗粒基低温钎料片及其制备方法，其特征在于，步骤如下：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，铜粉的粒径在5nm～1μm范围，稀硫酸的质量分数为5％。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，每次除去上层清液后仍使铜粉全部浸泡在溶液中，没有接触空气。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，分散剂为柠檬酸钠、醋酸钠、草酸钠、十二烷基磺酸钠、聚乙烯吡咯烷酮、吐温-80、聚乙二醇1000的一种或两种以上混合。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤...

【技术特征摘要】

1.一种铜@银@有机层复合颗粒基低温钎料片及其制备方法，其特征在于，步骤如下：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，铜粉的粒径在5nm～1μm范围，稀硫酸的质量分数为5％。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，每次除去上层清液后仍使铜粉全部浸泡在溶液中，没有接触空气。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，分散剂为柠檬酸钠、醋酸钠、草酸钠、十二烷基磺酸钠、聚乙烯吡咯烷酮、吐温-80、聚乙二醇1000的一种或两种以上混合。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，氨水的质量分数为25～28wt.％，氢氧化钠溶液的浓度为1mol/l。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(6)中，葡萄糖与硝酸银物质的量之比为0.5～5，铜粉与...

【专利技术属性】
技术研发人员：马浩然，谭维，刘佳伟，梁红伟，张振中，马海涛，张贺秋，夏晓川，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：