【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于导电复合陶瓷领域，特别涉及纳米导电氮化鈦(TiN)/氮化硅(Si3N4) 复合材料的制备方法。
技术介绍
氮化硅(Si3N4)等陶瓷材料具有高强度、高硬度，质量轻，耐高温，化学稳定 性好、抗腐蚀，耐磨损和导热性好等优点，是重要的结构材料，特别在高温应用方 面，最具前途和市场前景的材料之一，广泛应用于机械、化工、航天等众多领域。 然而，其脆性大，难加工和高成本等问题一直限制了其实际应用。因此，为了解决 上述问题，制备导电复合陶瓷，通过添加第二相来取长补短，是提高性能的有效途 径。特别是制备导电的纳米复相陶瓷， 一方面可以利用纳米材料的特性来改善其力 学性能，另一方面也能够利用导电性提高其加工性能，降低成本，拓宽应用领域，由于TiN是一种高熔点、高硬度、耐磨损、耐腐蚀、高比强度的材料，特别是 它具有金属导电性，因此把TiN作为第二相是很多研究者的选择，但是由于TiN高 温抗氧化性差，就要求其含量越少越好，而为了达到导电的目的，又要求其必需具 备一定的含量以构成导电网络。复合工艺的不同直接影响所需TiN最少含量，现有 Si:扎和TiN粉末的复合方法主要...
【技术保护点】
一种导电氮化钛／氮化硅纳米复合材料的制备方法，其特征在于以四氯化钛和四氯化硅作为原料，采用钠或钾金属为还原剂，通过原位共沉淀获得纳米氮化钛和纳米氮化硅复合的纳米粉体；原料中加入微米氮化硅粉或亚微米氮化硅粉，则生成的纳米氮化钛和纳米氮化硅复合的纳米粉体共同包覆在微米级氮化硅表面，得到共包覆结构的复合粉体；其中为了达到电火花加工对材料导电性的要求，反应生成的纳米氮化钛和纳米氮化硅复合粉体中，纳米氮化钛的体积含量不小于２５％，在共包覆结构材料中，作为包覆的纳米氮化钛和纳米氮化硅的体积含量占纳米氮化钛、纳米氮化硅和微米级氮化硅材料总体积的２０％以上，作为被包覆的微米级氮化硅体积小于...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吕明利，邱海龙，杨梅，朱鸿民，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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