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本发明属于导电复合陶瓷领域，涉及一种导电氮化钛／氮化硅纳米复合材料的制备方法，其特征在于低温液相条件下以四氯化钛（ＴｉＣｌ↓［４］）和四氯化硅（ＳｉＣｌ↓［４］）为原料，在－５０℃～２０℃温度范围，二者同时被还原，直接得到ＴｉＮ／Ｓｉ↓［３...
该专利属于北京科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京科技大学授权不得商用。

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