【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及风电机组监测，特别涉及一种肖特基二极管的制备方法及系统。
技术介绍
1、肖特基二极管（schottky diode）是一种具有金属-半导体接触的电子器件，具有快速开关特性、低导通电压和低反向恢复时间。广泛应用于高频整流、变频、反向电压保护、开关电源和太阳能电池等领域。
2、现有的肖特基二极管制备技术多采用固定的工艺参数进行加工制备。制备过程中，通常采用物理气相沉积（pvd）、化学气相沉积（cvd）等方法沉积金属薄膜，然后通过热处理来形成金属和半导体之间的肖特基势垒。制备完成后，对肖特基二极管进行质量检验和质量控制。现有的制备技术存在生产可靠性差、成品率低、废件成本高的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种肖特基二极管的制备方法及系统，以解决现有技术中生产可靠性差、成品率低、废件成本高的技术问题，实现提高出品质量，降低制备成本的技术效果。
2、第一方面，本专利技术提供了一种肖特基二极管的制备方法，其中，所述方法包括：
3、确定半导体...
【技术保护点】
1.一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述金属薄膜上制备得到肖特基二极管，包括：
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，当所述第一接触质量和所述第二接触质量任一接触质量不满足预设接触质量，方法包括：
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，分别对所述第一热接触面和所述第二热接触面进行热结合评估，得到第一接触质量和第二接触质量，方法还包括：
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，建立成膜...
【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述金属薄膜上制备得到肖特基二极管，包括：
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，当所述第一接触质量和所述第二接触质量任一接触质量不满足预设接触质量，方法包括：
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑剑华，苏建国，张元元，孙彬，朱建，
申请(专利权)人：南通华隆微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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