LDMOS器件及其形成方法技术

一种LDMOS器件及其形成方法，所述LDMOS器件包括：基底，所述基底内形成有漂移区和体区；栅极结构，位于所述基底上且覆盖部分漂移区和部分体区；漏区，位于所述栅极结构一侧的漂移区内；源区，位于所述栅极结构另一侧的体区内；金属硅化物场板，位于所述栅极结构与所述漏区之间的漂移区上。本发明专利技术技术方案能够提高低金属硅化物场板对漂移区的调制作用，降低栅极结构和漏区之间的电场，提高器件击穿电压，进而提高所形成的LDMOS器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造，尤其涉及一种ldmos器件及其形成方法。

技术介绍

1、随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度、更高的集成度和更高的性能方向发展。功率半导体器件(power electronic device)是主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件。

2、横向扩散金属氧化物半导体(laterally diffused metal oxidesemiconductor，ldmos)是一种双扩散结构的功率器件。ldmos器件具有诸多优点，例如，具有较高的热稳定性和频率稳定性、较好的增益和耐久性、较低的反馈电容和热阻，以及恒定的输入阻抗和更简单的偏流电路。此外，ldmos器件还能够与cmos具有很好的工艺兼容性，使得ldmos器件正被广泛应用。

3、然而，目前的ldmos器件的性能仍有待提高。

技术实现思路

1、本专利技术解决的问题是提供一种ldmos器件及其形成方法，能够提高ldmos器件的性能。

2、为解决上述问题，本本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，还包括：反型离子注入区，位于所述金属硅化物场板下方的漂移区内，且所述反型离子注入区的掺杂类型与所述漂移区的掺杂类型不同。

3.根据权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于，所述反型离子注入区为一个或多个；若所述反型离子注入区为多个，多个所述反型离子注入区沿所述栅极结构的宽度方向间隔排布。

4.根据权利要求2或3所述的LDMOS器件，其特征在于，所述反型离子注入区为沿所述栅极结构长度方向延伸的条形区域。

5.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其...

【技术特征摘要】

1.一种ldmos器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，还包括：反型离子注入区，位于所述金属硅化物场板下方的漂移区内，且所述反型离子注入区的掺杂类型与所述漂移区的掺杂类型不同。

3.根据权利要求2所述的ldmos器件，其特征在于，所述反型离子注入区为一个或多个；若所述反型离子注入区为多个，多个所述反型离子注入区沿所述栅极结构的宽度方向间隔排布。

4.根据权利要求2或3所述的ldmos器件，其特征在于，所述反型离子注入区为沿所述栅极结构长度方向延伸的条形区域。

5.根据权利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，还包括：体接触区，位于所述源区远离所述栅极结构一侧的体区内。

6.根据权利要求5所述的ldmos器件，其特征在于，还包括：金属硅化物层，覆盖部分所述源区、部分所述体接触区、部分所述漏区和部分所述栅极结构。

7.根据权利要求6所述的ldmos器件，其特征在于，还包括：阻挡层，位于所述金属硅化物场板和金属硅化物层露出的漂移区上，且还延伸覆盖靠近所述金属硅化物场板的部分所述栅极结构。

8.根据权利要求7所述的ldmos器件，其特征在于，所述阻挡层为金属硅化物阻挡层。

9.根据权利要求7或8所述的ldmos器件，其特征在于，所述金属硅化物场板的顶部表面低于所述阻挡层的顶部表面。

10.根据权利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，所述金属硅化物场板还与所述源区电连接。

11.根据权利要求10所述的ld...

【专利技术属性】
技术研发人员：李爽，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：