芯片及其制备方法、射频功率放大器和终端技术

本申请实施例提供了一种芯片及其制备方法、射频功率放大器和终端，涉及半导体技术领域，可以确保外延层与源极导电层充分接触。该芯片包括第一晶体管和第二晶体管，该方法包括：在衬底(10)上形成依次层叠设置的外延层(11)和源极导电层(21)；外延层包括第一通孔，以形成第一晶体管的第一外延层(101)和第二晶体管的第二外延层(102)。源极导电层包括第一晶体管的第一源极(211)和第二晶体管的第二源极(212)。第一源极(211)的边沿与第一外延层(101)贴近第一通孔侧的边沿齐平，第二源极(212)的边沿与第二外延层(102)贴近第一通孔侧的边沿。在第一通孔中形成第一导电层(13)；第一导电层(13)与第一源极(211)和第二源极(212)接触；形成第二通孔；在第二通孔中形成第二导电层(14)，第二导电层(14)与第一导电层(13)接触、并接地。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请，权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李水明，李海军，张志利，刘涛，饶进，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：