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本申请实施例提供了一种芯片及其制备方法、射频功率放大器和终端，涉及半导体技术领域，可以确保外延层与源极导电层充分接触。该芯片包括第一晶体管和第二晶体管，该方法包括：在衬底(10)上形成依次层叠设置的外延层(11)和源极导电层(21)；外延层...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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