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一种LDMOS器件及其形成方法，所述LDMOS器件包括：基底，所述基底内形成有漂移区和体区；栅极结构，位于所述基底上且覆盖部分漂移区和部分体区；漏区，位于所述栅极结构一侧的漂移区内；源区，位于所述栅极结构另一侧的体区内；金属硅化物场板，位于...
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