一种发光二极管外延的生长方法及结构技术

本申请一种发光二极管外延的生长方法包括：提供一层衬底，其中，衬底为Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;衬底、Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;/SiO<subgt;2</subgt;复合衬底、Si衬底、BN衬底和SiC衬底中的一种；在衬底上依次沉积生长u‑GaN层、位错中断层和n‑GaN层，其中，位错中断层包括在u‑GaN层上循环生长的SiC插入层和位错填平层，循环生长的次数为N，且，N≥1；其中，沉积SiC插入层所用的温度为1000～1550度；沉积SiC插入层所用的气体为硅源气体和碳源气体，硅源气体流速为1～1000sccm，碳源气体流速为1～1000sccm；沉积SiC插入层所用的气体载气，流速为10～500slm；SiC插入层的沉积压力为100～700torr。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及发光二极管，尤其涉及一种发光二极管外延的生长方法及结构。

技术介绍

1、发光二极管(light emitting diode，led)是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色的新型固态照明光源，led是前景广阔的新一代光源，正在被迅速广泛地应用在如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、户内外显示屏和小间距显示屏等领域。

2、相关技术中，发光二极管外延片是在晶体结构匹配的单晶材料上生长出来的半导体薄膜，对外延片进行工艺加工可形成芯片，芯片封装后即为发光二极管。传统的led外延片至少包括蓝宝石al2o3衬底以及生长在衬底上的氮化镓gan层，由于al2o3与gan层之间存在高达13.8％的晶格失配，例如，形成大量位错，这些位错包括螺型位错，刃型位错和混合位错等。这些位错会进一步形成穿透位错，延伸到发光结构，严重影响到发光层的电子空穴复合效率，最终导致led的发光效率变低。

3、基于上述原因，亟需一种能够中断底层位错的延伸，有效保护发光层的发光二极管外延片。

技术实现思路

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【技术保护点】

1.一种发光二极管外延的生长方法，其特征在于，方法包括：

2.如权利要求1所述的发光二极管外延的生长方法，其特征在于，沉积所述SiC插入层所用的温度为1000～1200度。

3.根据权利要求1所述的发光二极管外延的生长方法，其特征在于，所述硅源气体为SiH4；所述硅源气体的流速为100～200sccm。

4.根据权利要求1所述的发光二极管外延的生长方法，其特征在于，所述碳源气体为CH4、C2H4、C2H6或C3H8中的任意一种或几种的组合；所述碳源气体的流速为100～200sccm。

5.根据权利要求1所述的发光二极管外延的生长方法，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管外延的生长方法，其特征在于，方法包括：

2.如权利要求1所述的发光二极管外延的生长方法，其特征在于，沉积所述sic插入层所用的温度为1000～1200度。

3.根据权利要求1所述的发光二极管外延的生长方法，其特征在于，所述硅源气体为sih4；所述硅源气体的流速为100～200sccm。

4.根据权利要求1所述的发光二极管外延的生长方法，其特征在于，所述碳源气体为ch4、c2h4、c2h6或c3h8中的任意一种或几种的组合；所述碳源气体的流速为100～200sccm。

5.根据权利要求1所述的发光二极管外延的生长方法，其特征在于，所述气体载气为h2；所述气体载气流速为50～100slm。

6.根据权利要求1所述的发光二极管外延的生长方法，其特征在于，所述sic插入层的沉积压力...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎国昌，陈浩，徐志军，江汉，程虎，徐洋洋，王文君，苑树伟，
申请(专利权)人：聚灿光电科技宿迁有限公司，
类型：发明
国别省市：