The invention discloses a method for cleaning a semiconductor wafer etching residue, using ultrasonic loading in the cleaning liquid cleaning process and / or deionized water washing process, can effectively remove the etching residue is very thick, especially with Ti, Ta and other insoluble metal residue, high cleaning efficiency, simple process and low cost. Less pollution, a large window cleaning.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体晶圆制造工艺，尤其涉及一种半导体晶圆蚀刻残 留物的清洗方法。
技术介绍
在半导体元器件制造过程中，光阻层的涂敷、曝光和成像对元器件的图 案制造来说是必要的工艺步骤。在图案化的最后(即在光阻层的涂敷、成像、 离子植入和蚀刻之后)进行下一工艺步骤之前，光阻层材料的残留物需彻底 除去。在掺杂步骤中离子轰击会硬化光阻层聚合物，因此使得光阻层变得不 易溶解从而更难于除去。至今在半导体制造工业中一般使用两步法除去这层 光阻层膜。第一步利用干法灰化除去大部分的光阻层(PR);第二步利用缓 蚀剂组合物，经湿蚀刻后用清洗工艺清洗并除去剩余的光阻层，其清洗工艺 的步骤一般为清洗液清洗和去离子水漂洗。在这个过程中不能损害金属层， 如铝层，只能除去残留的聚合物光阻层和无机物。现有技术中典型的清洗液有以下几种胺类清洗液，半水性胺类(羟胺 类)清洗液以及氟化物类清洗液。其中，前两类清洗液存在的问题是需要 在高温下清洗， 一般在6(TC到8(TC之间；对金属的腐蚀速率较大；而对含有较多的Ti、 Ta等难溶金属残留物，清洗能力不够强，很难清洗干净。US6828289， ...
【技术保护点】
一种半导体晶圆蚀刻残留物的清洗方法，其特征在于：在清洗液清洗过程和／或去离子水漂洗过程中加载超声波。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：于昊，彭洪修，刘兵，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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