【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，特别涉及一种蚀刻设备。
技术介绍
1、对于半导体制造而言，在蚀刻设备执行蚀刻工艺过程中，无可避免的会产生很多气态的工艺副产物，简称废气，这些废气通过设置有真空泵的气体管路被输送至中央处理系统。
2、当真空泵发生故障时，会导致废气积滞在气体管路中，这些积滞的废气会由于压强倒灌至蚀刻设备的反应腔内，造成反应腔内晶圆表面形成缺陷，降低产品的良率。
3、因此，需要提供一种防止气体管路内废气倒灌的蚀刻设备。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种蚀刻设备，可避免真空泵发生故障时气体管路中的废气倒流至反应腔，影响晶圆的蚀刻，以提升晶圆的良率。
2、本申请实施例提供一种蚀刻设备，包括：反应腔和排气装置，所述排气装置与所述反应腔的出气口连通，用于排出所述反应腔内产生的废气，其中，所述排气装置包括：第一管路，所述第一管路的第一端连接所述反应腔的出气口，用于排出所述废气；真空泵，所述真空泵连接在所述第一管路上，用于抽出所述废气；阀体，所述阀体设置在...
【技术保护点】
1.一种蚀刻设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，所述阀体包括第一阀体和第二阀体，所述第一阀体靠近所述出气口，所述第二阀体靠近所述真空泵，且所述第一阀体和所述第二阀体为单向止逆阀。
3.根据权利要求2所述的蚀刻设备，其特征在于，所述排气装置还包括第二管路，所述第二管路的第一端连接在所述第一阀体与第二阀体之间的所述第一管路上，所述第二管路的第二端连接在所述第一管路的第二端，且所述第二管路上设置有第三阀体，所述第三阀体为单向止逆阀。
4.根据权利要求3所述的蚀刻设备，其特征在于，所述控制器在监测到所述真...
【技术特征摘要】
1.一种蚀刻设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，所述阀体包括第一阀体和第二阀体，所述第一阀体靠近所述出气口，所述第二阀体靠近所述真空泵，且所述第一阀体和所述第二阀体为单向止逆阀。
3.根据权利要求2所述的蚀刻设备，其特征在于，所述排气装置还包括第二管路，所述第二管路的第一端连接在所述第一阀体与第二阀体之间的所述第一管路上，所述第二管路的第二端连接在所述第一管路的第二端，且所述第二管路上设置有第三阀体，所述第三阀体为单向止逆阀。
4.根据权利要求3所述的蚀刻设备，其特征在于，所述控制器在监测到所述真空泵故障时控制所述第三阀体打开。
5.根据权利要求3所述的蚀刻设备，其特征在于，所述排气装置还包括气体传输通道，所述气体传输通道从所述第二阀体内部穿过，所述气...
【专利技术属性】
技术研发人员：卫德强，
申请(专利权)人：中芯北方集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：
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