【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件领域，尤其涉及一种晶圆键合结构及堆叠背照式图像传感器、形成方法。
技术介绍
1、与传统的直接键合相比，混合键合(hybrid bonding)的键合界面为金属和电介质混合构成，可免去硅通孔(through-silicon vias，tsv)工艺。进一步为了降低混合键合的缺陷率，提高混合键合工艺的稳定性，混合键合界面的金属需要均匀分布于晶圆表面，其中包括芯片中没有电路图形的区域、切割道区域及切割道辅助图形区域。
2、晶圆键合后还需要对顶部晶圆的背部进行加工，而在加工时需要进行对准操作，但是在对准标志所在区域内，由于键合界面的金属和电介质的光学特性不同，会影响对准精度及套刻精度。为了保证后续工艺中对准和量测精度，在和套刻标志位置对应的键合界面的切割道位置不能出现金属，仅由电介质组成，但是该方式又会降低引起键合气泡的工艺窗口，使后续工艺存在潜在风险。
技术实现思路
1、本申请要解决的技术问题是提供一种晶圆键合结构及形成方法，能够在不影响对准精度和套刻精度的同时，提...
【技术保护点】
1.一种晶圆键合结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述第一混合键合层还包括第一介质层，所述第一金属层位于所述第一介质层中，且所述第一金属层和所述第一介质层的键合面平齐。
3.根据权利要求2所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述第二混合键合层还包括与所述第一介质层对应键合的第二介质层，所述第二金属层位于所述第二介质层中，且所述第二金属层和所述第二介质层的键合面平齐。
4.根据权利要求1所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述第一晶圆的切割道区还包括用于对准的套刻标志，且所述金属遮挡层位于所述套刻标志...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆键合结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述第一混合键合层还包括第一介质层，所述第一金属层位于所述第一介质层中，且所述第一金属层和所述第一介质层的键合面平齐。
3.根据权利要求2所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述第二混合键合层还包括与所述第一介质层对应键合的第二介质层，所述第二金属层位于所述第二介质层中，且所述第二金属层和所述第二介质层的键合面平齐。
4.根据权利要求1所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述第一晶圆的切割道区还包括用于对准的套刻标志，且所述金属遮挡层位于所述套刻标志和所述第一金属层之间。
5.根据权利要求1所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述第一晶圆的器件区包括互连金属层，且所述互连金属层和所述金属遮挡层的材料相同。
6.根据权利要求1所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述互连金属层和所述金属遮挡层在同一...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱九州，尹卓，李建军，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。