【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及电路保护器件领域，并且特别地，涉及台面型器件。
技术介绍
1、现代电子设备依赖于半导体器件二极管来实现各种功能，包括例如，在瞬态过电压事件期间的电路保护。这种器件使用经由结连接在一起的n型和p型半导体材料制造。这种结被称为p-n结。p-n结是在半导体器件的具有第一导电类型(p或n)的区域和具有与第一导电类型相反的第二导电类型(n或p)的第二区域之间形成的界面。在制造上述半导体器件期间，具有第一类型导电性的半导体基底暴露于第二类型物质的注入、扩散或沉积，包括具有第二类型的物质的层的外延生长。在提供第二类型的物质之后，可以执行退火以扩散和激活第二导电类型的物质。在器件的钝化区域中设置玻璃钝化层。然而，现有器件的玻璃钝化层容易损坏，特别是在器件的背面。
技术实现思路
1、以下
技术实现思路
被提供以简化形式介绍概念的选择，这些概念将在下面的具体实施方式中进一步被描述。本
技术实现思路
不旨在标识所要求保护的主题的关键或本质特征，也不旨在作为确定所要求保护主题的范围的帮助。
2...
【技术保护点】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基底硅层是以下中的至少一种：n型层、p型层以及其任意组合。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述下部硅层是p型硅层。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，中间硅层是P+硅层。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述上部硅层是p型硅层。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述上部硅层是P+硅层。
7.根据权利要求6所述的装置，还包括至少一个p-n结，所述p-n结被配置为形成在所述上部硅层和所述基底硅层之间以及所述基底硅层和所述下部
<...【技术特征摘要】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基底硅层是以下中的至少一种：n型层、p型层以及其任意组合。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述下部硅层是p型硅层。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，中间硅层是p+硅层。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述上部硅层是p型硅层。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述上部硅层是p+硅层。
7.根据权利要求6所述的装置，还包括至少一个p-n结，所述p-n结被配置为形成在所述上部硅层和所述基底硅层之间以及所述基底硅层和所述下部硅层之间。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述多个玻璃钝化层包括具有第一重叠部分的第一钝化层和具有第二重叠部分的第二钝化层，所述第一钝化层被耦接到所述上部硅层和所述基底硅层的第一部分，并且所述第二钝化层被耦接到所述上部硅层和所述基底硅层的第二部分，所述第二部分与所述第一部分相对。
9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述第一重叠部分被配置为被耦接到所述上部硅层的上表面的至少一部分，并且所述第二重叠部分被配置为被耦接到所述上部硅层的所述上表面的至少另一部分。
10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述多个...
【专利技术属性】
技术研发人员：周继峰，张环，何磊，
申请(专利权)人：力特半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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