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本发明涉及台面器件，更具体涉及一种半导体器件装置、结构及其相关方法。该装置包括基底硅层、耦接到基底硅层的下部硅层、耦接到基底硅层的上部硅层、多个玻璃钝化层中的被配置为耦接到基底硅层和下部硅层的至少一个玻璃钝化层、以及多个玻璃钝化层中的被配置...
该专利属于力特半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力特半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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