【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，特别是涉及一种研磨垫、化学机械研磨设备及研磨方法。
技术介绍
1、采用化学机械研磨设备对晶圆进行研磨时，若使用新研磨头，由于新研磨头的定位环厚度无法达到生产需求，容易导致待研磨晶圆边缘的研磨速率不足，从而产生残留物。因此，在使用新研磨头时，需要对新研磨头中的定位环进行一定程度的打磨消耗，以使新研磨头达到生产要求。
2、然而，目前对新研磨头的打磨时间过久，严重影响化学机械研磨设备的可使用时间，从而无法满足生产过程中的消耗。
3、因此，如何提高研磨效率，从而缩短新研磨头的打磨时间，进而提高生产效率是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述
技术介绍
中的问题，提供一种研磨垫、化学机械研磨设备及研磨方法，能够提高研磨效率，从而缩短新研磨头的打磨时间，进而提高生产效率。
2、为了解决上述技术问题，根据一些实施例，本公开的一方面提供一种研磨垫，该研磨垫包括：相对设置的第一表面及第二表面。第一表面设有多个由外至内依次间隔排布的凹槽。任...
【技术保护点】
1.一种研磨垫，其特征在于，包括：相对设置的第一表面及第二表面；所述第一表面设有多个由外至内依次间隔排布的凹槽；任一相邻所述凹槽之间的间距与所述研磨垫半径的比值为8/25～12/25。
2.如权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，所述研磨垫的邵氏硬度不小于65。
3.如权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，多个所述凹槽的宽度均相等。
4.如权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，任一相邻所述凹槽的间距均相等。
5.如权利要求4所述的研磨垫，其特征在于，最外侧的所述凹槽与所述研磨垫的外边缘之间的间距小于相邻所述凹槽之间的间距；最内...
【技术特征摘要】
1.一种研磨垫，其特征在于，包括：相对设置的第一表面及第二表面；所述第一表面设有多个由外至内依次间隔排布的凹槽；任一相邻所述凹槽之间的间距与所述研磨垫半径的比值为8/25～12/25。
2.如权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，所述研磨垫的邵氏硬度不小于65。
3.如权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，多个所述凹槽的宽度均相等。
4.如权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，任一相邻所述凹槽的间距均相等。
5.如权利要求4所述的研磨垫，其特征在于，最外侧的所述凹槽与所述研磨垫的外边缘之间的间距小于相邻...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐乃康，王建雄，杨志远，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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