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本公开涉及一种研磨垫、化学机械研磨设备及研磨方法。所述研磨垫包括：相对设置的第一表面及第二表面。第一表面设有多个由外至内依次间隔排布的凹槽。任一相邻凹槽之间的间距与研磨垫半径的比值为8/25～12/25。本公开实施例中的研磨垫可以使得待研磨...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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