【技术实现步骤摘要】
本公开涉及具有两相冷却结构的半导体装置。
技术介绍
1、为了去除电子装置运行产生的热量，主要使用空气冷却装置。随着电子装置的功率密度逐渐增加，液体冷却装置的使用也在增加，以应对热产生的增加。此外，在数据中心的情况下，为了减少使用的电力量，对诸如液体冷却装置的具有高效率的下一代冷却方法的兴趣逐渐增加。取决于产生热量的部分的温度范围，液体冷却方法可以分为没有冷却剂相变的单相液体冷却方法和涉及冷却剂相变的两相液体冷却方法。两相液体冷却方法比单相液体冷却方法具有更高的热值范围。
技术实现思路
1、提供了一种实施两相冷却方法的半导体装置。
2、提供了一种实施两相冷却结构的半导体装置，其能够应对因蒸汽吸附至加热表面而导致的冷却效率降低。
3、附加方面将部分在以下描述中阐述，部分将从描述中是明显的，或可以通过实践本公开所呈现的实施方式了解。
4、根据本公开的方面，一种半导体装置可以包括半导体芯片和冷却通道，半导体芯片包括半导体集成电路，冷却通道包括：在半导体芯片内部的...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中整个所述冷却通道形成在所述半导体芯片内部。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述冷却通道的至少第一部分从所述半导体芯片的上表面向内形成。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述壁表面包括在所述冷却通道中在横向方向上延伸的第一壁表面和从所述第一壁表面在纵向方向上延伸的第二壁表面，以及
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述第一精细图案被配置为产生毛细力，所述毛细力沿着所述第一壁表面在所述横向方向上移动所述液态冷却剂，以及
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【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中整个所述冷却通道形成在所述半导体芯片内部。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述冷却通道的至少第一部分从所述半导体芯片的上表面向内形成。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述壁表面包括在所述冷却通道中在横向方向上延伸的第一壁表面和从所述第一壁表面在纵向方向上延伸的第二壁表面，以及
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述第一精细图案被配置为产生毛细力，所述毛细力沿着所述第一壁表面在所述横向方向上移动所述液态冷却剂，以及
6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括至少部分地围绕所述半导体芯片的封装外壳，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，还包括供应通道，所述供应通道提供在所述半导体芯片的上表面上并将所述第二开口连接到所述冷却通道。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述供应通道包括在所述半导体芯片的所述上表面上并且配置为产生移动所述液态冷却剂的毛细力的第三精细图案。
9.根据权利要求6所述的半导体装置，还包括提供在所述半导体芯片中的多个冷却通道，所述多个冷却通道包括所述冷却通道，
10.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括在纵向方向上堆叠的多个半导体芯片，每个所述半导体芯片包括所...
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