单次编程记忆体电路、单次编程记忆体及其操作方法技术

本发明专利技术提出一种单次编程记忆体电路、单次编程记忆体及其操作方法。单次编程记忆体包含单次编程二极管以及控制场效晶体管。单次编程二极管的一端电性连接源线。控制场效晶体管包含栅极、第一源极/漏极与第二源极/漏极，控制场效晶体管的栅极电性连接字元线，控制场效晶体管的第一源极/漏极电性连接位元线，控制场效晶体管的第二源极/漏极电性连接单次编程二极管的另一端。本发明专利技术的单次编程记忆体所需编程电压较低，稳定性高，且其周边电路的面积相对较小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种储存电路及其操作方法，且特别是有关于一种单次编程记忆体电路、单次编程记忆体及其操作方法。

技术介绍

1、传统一晶体管一电阻器(1t1r)的单次编程记忆体，需要较细长的弯曲金属丝及较大的焊垫，以便于熔断，因此，1t1r的单次编程记忆体的面积较大。

2、另外，一晶体管一电容器(1t1c)的单次编程记忆体，需要高电压(即，4～5v)来击穿电容器中氧化层。相似地，一控制晶体管一储存晶体管(1t1t)的单次编程记忆体，亦需要高电压(即，4～5v)来击穿储存晶体管的栅极氧化层。前述高电压远超过晶体管的操作电压，因此，1t1c或1t1t的单次编程记忆体皆需要额外的周边电路来产生高电压。然而，愈高压的周边电路，愈占用面积。

技术实现思路

1、本专利技术提出一种单次编程记忆体电路、单次编程记忆体及其操作方法，改善先前技术的问题。

2、在本专利技术的一些实施例中，本专利技术所提出的单次编程记忆体包含单次编程二极管以及控制场效晶体管。单次编程二极管的一端电性连接源线。控制场效晶体管包含本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单次编程记忆体，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的单次编程记忆体，其特征在于，该控制场效晶体管为一N型控制场效晶体管，该单次编程二极管是由一NPN型晶体管所构成，该NPN型晶体管包含一第一N型半导体、一P型半导体与一第二N型半导体，该P型半导体介于该第一N型半导体与该第二N型半导体之间，该第一N型半导体电性连接该源线，该第二N型半导体电性连接该控制场效晶体管的该第二源极/漏极。

3.如权利要求1所述的单次编程记忆体，其特征在于，该控制场效晶体管为一N型控制场效晶体管，该单次编程二极管是由一NIN型晶体管所构成，该NIN型晶体管包含一第一N型半导体、...

【技术特征摘要】

1.一种单次编程记忆体，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的单次编程记忆体，其特征在于，该控制场效晶体管为一n型控制场效晶体管，该单次编程二极管是由一npn型晶体管所构成，该npn型晶体管包含一第一n型半导体、一p型半导体与一第二n型半导体，该p型半导体介于该第一n型半导体与该第二n型半导体之间，该第一n型半导体电性连接该源线，该第二n型半导体电性连接该控制场效晶体管的该第二源极/漏极。

3.如权利要求1所述的单次编程记忆体，其特征在于，该控制场效晶体管为一n型控制场效晶体管，该单次编程二极管是由一nin型晶体管所构成，该nin型晶体管包含一第一n型半导体、一本征(i型)半导体与一第二n型半导体，该i型半导体介于该第一n型半导体与该第二n型半导体之间，该第一n型半导体电性连接该源线，该第二n型半导体电性连接该控制场效晶体管的该第二源极/漏极。

4.如权利要求1所述的单次编程记忆体，其特征在于，该控制场效晶体管为一p型控制场效晶体管，该单次编程二极管是由一pnp型晶体管所构成，该pnp型晶体管包含一第一p型半导体、一n型半导体与一第二p型半导体，该n型半导体介于该第一p型半导体与该第二p型半导体之间，该第一p型半导体电性连接该源线，该第二p型半导体电性连接该控制场效晶体管的该第二源极/漏极。

5.如权利要求1所述的单次编程记忆体，其特征在于，该控制场效晶体管为一p型控制场效晶体管，该单次编程二极管是由一pip型晶体管所构成，该pip型晶体管包含一第一p型半导体、一本征(i型)半导体与一第二p型半导体，该i型半导体介于该第一p型半导体与该第二p型半导体之间，该第一p型半导体电性连接该源线，该第二p型半导体电性连接该控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢易叡，
申请(专利权)人：谢易叡，
类型：发明
国别省市：