【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体存储器装置，尤其涉及具有分成多个存储器垫的存储器单元阵列的半导体装置。
技术介绍
1、存在其中例如dram的半导体存储器装置包含分成多个存储器垫的存储器单元阵列的情况。还存在其中存储器单元阵列包含具有用于替换有缺陷列区段的备用列区段的冗余存储器垫的情况。在此，当冗余存储器垫的列大小明显小于另一存储器垫的列大小时，对应于冗余存储器垫的感测放大器区的大小不足，使得难以确保等效于另一存储器垫的特性的特性。
技术实现思路
1、一方面，本公开提供一种设备，其包括：多个第一存储器垫，其各自包含各自存储用户数据的多个正常列区段；及第二存储器垫，其包含各自替换包含在所述多个第一存储器垫中的列区段中的有缺陷者的多个第一冗余列区段及各自存储错误校正码的多个第一ecc列区段。
2、另一方面，本公开提供一种设备，其包括：第一存储器垫，其包含多个第一正常列区段及多个第二正常列区段；第二存储器垫，其包含多个第一冗余列区段及多个第三正常列区段；及第三存储器垫，其包含多个第二冗余列区段及多个第四正常列区段，其中所述第一正常列区段中的有缺陷者经配置以用所述多个第一冗余列区段中的一者来替换，且其中所述第二正常列区段中的有缺陷者经配置以用所述多个第二冗余列区段中的一者来替换。
3、另一方面，本公开提供一种设备，其包括：第一存储器垫，其包含多个第一列区段及多个第二列区段；及第二存储器垫，其包含多个第三列区段及多个第四列区段，其中所述多个第一列区段中的一者或所述多个第三列区段中的一者
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1.一种设备，其包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个第一冗余列区段及所述多个第一ECC列区段经配置以基于列地址来排他地选择。
3.根据权利要求2所述的设备，
4.根据权利要求3所述的设备，
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个第一冗余列区段在列大小上与所述多个第一ECC列区段不同。
6.根据权利要求5所述的设备，其中所述多个第一冗余列区段在列大小上小于所述多个第一ECC列区段。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二存储器垫在列大小上与所述多个第一存储器垫中的每一者不同。
8.根据权利要求7所述的设备，其中所述第二存储器垫在列大小上小于所述多个第一存储器垫中的每一者。
9.根据权利要求4所述的设备，其进一步包括第三存储器垫，所述第三存储器垫包含多个第二冗余列区段及多个第二ECC列区段，
10.根据权利要求9所述的设备，其中所述第二及第三存储器垫邻近地布置。
11.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括：
12.根据权利要求11
13.根据权利要求11所述的设备，其中所述第一及第二放大器邻近地布置。
14.根据权利要求11所述的设备，其进一步包括第三多路复用器，所述第三多路复用器经配置以将所述用户数据路径及所述ECC路径中的一者耦合到ECC电路。
15.一种设备，其包括：
16.根据权利要求15所述的设备，
17.根据权利要求16所述的设备，
18.一种设备，其包括：
19.根据权利要求18所述的设备，其进一步包括第三存储器垫，所述第三存储器垫包含多个第五列区段及多个第六列区段，
20.根据权利要求19所述的设备，其中所述第二及第三存储器垫中的每一者在列大小上小于所述第一存储器垫。
...【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个第一冗余列区段及所述多个第一ecc列区段经配置以基于列地址来排他地选择。
3.根据权利要求2所述的设备，
4.根据权利要求3所述的设备，
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个第一冗余列区段在列大小上与所述多个第一ecc列区段不同。
6.根据权利要求5所述的设备，其中所述多个第一冗余列区段在列大小上小于所述多个第一ecc列区段。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二存储器垫在列大小上与所述多个第一存储器垫中的每一者不同。
8.根据权利要求7所述的设备，其中所述第二存储器垫在列大小上小于所述多个第一存储器垫中的每一者。
9.根据权利要求4所述的设备，其进一步包括第三存储器垫，所述第三存储器垫包含多个第二冗余列区段及多个第二ecc列区段，
10.根据权利要求9所述的设备，其中所述...
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