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本发明提出一种单次编程记忆体电路、单次编程记忆体及其操作方法。单次编程记忆体包含单次编程二极管以及控制场效晶体管。单次编程二极管的一端电性连接源线。控制场效晶体管包含栅极、第一源极/漏极与第二源极/漏极，控制场效晶体管的栅极电性连接字元线，...
该专利属于谢易叡所有，仅供学习研究参考，未经过谢易叡授权不得商用。

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