【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种储存电路及其操作方法，且特别是有关于一种记忆体电路、动态随机存取记忆体及其操作方法。
技术介绍
1、随着摩尔定律的进展速度，各种嵌入式记忆体已经在代工厂中量产。在许多应用领域中，半导体记忆体广泛地运用在各类电子产品。
2、然而，由于在后段工艺(beol)中使用更多光罩的高深宽比的堆迭电容器技术的成本和难度增加，一晶体管及一电容器(1t1c)的嵌入式动态随机存取记忆体(edram)已经停止了更先进工艺以后的开发。因此，基于上述原因，需要一种新的动态随机存取记忆体，以适应日益微小化的工艺。
技术实现思路
1、本专利技术提出一种记忆体电路、动态随机存取记忆体及其操作方法，改善先前技术的问题。
2、在本专利技术的一实施例中，本专利技术所提出的动态随机存取记忆体包含储存二极管以及控制场效晶体管。储存二极管是由栅极浮接的场效晶体管所构成，栅极浮接的场效晶体管的两源极/漏极分别做为储存二极管的阴极与阳极。控制场效晶体管电性连接储存二极管的阴极或阳极。
3、在本专利技术的一实施例中，控制场效晶体管包含第一栅极、第一源极/漏极区、第二源极/漏极区、第一通道区以及第一介电层区。第一源极/漏极区与第二源极/漏极区分别位于第一栅极的相对两侧，第一通道区位于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间，第一介电层区位于第一栅极和第一通道区之间。
4、在本专利技术的一实施例中，控制场效晶体管与储存二极管共用第二源极/漏极区，储存二极管包含第二栅极
5、在本专利技术的一实施例中，第三源极/漏极区电性连接选择线，第二栅极浮接。
6、在本专利技术的一实施例中，第一源极/漏极区电性连接位元线，第一栅极电性连接字元线。
7、在本专利技术的一实施例中，本专利技术所提出的记忆体电路包含多个记忆体单元，排列成阵列。每一记忆体单元包含动态随机存取记忆体，动态随机存取记忆体包含控制场效晶体管以及储存二极管。控制场效晶体管的栅极电性连接字元线，储存二极管是由栅极浮接的场效晶体管所构成，储存二极管的相对两端分别电性连接选择线与控制场效晶体管的一端，控制场效晶体管的另一端电性连接位元线。
8、在本专利技术的一实施例中，每一记忆体单元包含另一动态随机存取记忆体，该另一动态随机存取记忆体包含另一控制场效晶体管以及另一储存二极管。所述另一控制场效晶体管的栅极电性连接另一字元线，所述另一储存二极管是由另一栅极浮接的场效晶体管所构成，所述另一储存二极管的相对两端分别电性连接另一选择线与所述另一控制场效晶体管的一端，所述另一控制场效晶体管的另一端电性连接位元线，位元线位于上述选择线与所述另一选择线之间。
9、在本专利技术的一实施例中，本专利技术所提出的动态随机存取记忆体的操作方法，动态随机存取记忆体包含彼此串接的储存二极管与控制场效晶体管，储存二极管是由一栅极浮接的场效晶体管所构成，操作方法包含以下步骤：于写入动态随机存取记忆体时，对字元线施予控制电压，对位元线施予写入电压，对选择线施予零电压，其中控制场效晶体管的栅极电性连接字元线，储存二极管的相对两端分别电性连接选择线与控制场效晶体管的一端，控制场效晶体管的另一端电性连接位元线。
10、在本专利技术的一实施例中，控制电压导通控制场效晶体管，写入电压让储存二极管发生齐纳穿隧机制，使储存二极管储存电量。
11、在本专利技术的一实施例中，操作方法还包含：于刷新动态随机存取记忆体时，对字元线施予控制电压，对位元线施予写入电压，对选择线施予零电压。
12、在本专利技术的一实施例中，操作方法还包含：于读取动态随机存取记忆体时，对字元线施予控制电压，对选择线施予读取电压，通过位元线感测读出电流。
13、在本专利技术的一实施例中，读取电压的极性相反于写入电压的极性。
14、综上所述，本专利技术的技术方案与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。本专利技术的动态随机存取记忆体为无电容的一晶体管及一二极管(1t1d)的嵌入式动态随机存取记忆体，其可以在前段工艺完全采用纯晶圆代工的场效晶体管技术制造，在后段工艺中既不需要额外的光罩，也不需要额外的材料和电容器布局，从而大大降低了成本和设计复杂性。
15、以下将以实施方式对上述的说明作详细的描述，并对本专利技术的技术方案提供更进一步的解释。
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1.一种动态随机存取记忆体，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的动态随机存取记忆体，其特征在于，该控制场效晶体管包含：
3.如权利要求2所述的动态随机存取记忆体，其特征在于，该控制场效晶体管与该储存二极管共用该第二源极/漏极区，该储存二极管包含：
4.如权利要求3所述的动态随机存取记忆体，其特征在于，该第三源极/漏极区电性连接一选择线，该第二栅极浮接。
5.如权利要求2所述的动态随机存取记忆体，其特征在于，该第一源极/漏极区电性连接一位元线，该第一栅极电性连接一字元线。
6.一种记忆体电路，其特征在于，包含：
7.如权利要求6所述的记忆体电路，其特征在于，每一该记忆体单元包含一另一动态随机存取记忆体，该另一动态随机存取记忆体包含：
8.一种动态随机存取记忆体的操作方法，其特征在于，该动态随机存取记忆体包含彼此串接的一储存二极管与一控制场效晶体管，该储存二极管是由一栅极浮接的场效晶体管所构成，该操作方法包含以下步骤：
9.如权利要求8所述的操作方法，其特征在于，该控制电压导通该控制
10.如权利要求8所述的操作方法，其特征在于，还包含：
11.如权利要求8所述的操作方法，其特征在于，还包含：
12.如权利要求11所述的操作方法，其特征在于，该读取电压的极性相反于该写入电压的极性。
...【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取记忆体，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的动态随机存取记忆体，其特征在于，该控制场效晶体管包含：
3.如权利要求2所述的动态随机存取记忆体，其特征在于，该控制场效晶体管与该储存二极管共用该第二源极/漏极区，该储存二极管包含：
4.如权利要求3所述的动态随机存取记忆体，其特征在于，该第三源极/漏极区电性连接一选择线，该第二栅极浮接。
5.如权利要求2所述的动态随机存取记忆体，其特征在于，该第一源极/漏极区电性连接一位元线，该第一栅极电性连接一字元线。
6.一种记忆体电路，其特征在于，包含：
7.如权利要求6所述的记忆体电路，其特征在于，每一该记忆体单元...
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