【技术实现步骤摘要】
本公开涉及控制单元及包括其的半导体制造设备，并且更具体地，涉及可以应用于光刻工艺的控制单元及包括其的半导体制造设备。
技术介绍
1、半导体制造工艺可以在半导体制造设备内连续地进行，并且可以分为前端工艺和后端工艺。这里，前端工艺指代在晶片上形成电路图案以完成半导体芯片的工艺，而后端工艺指代对通过前端工艺获得的产成品的性能进行评价的工艺。
2、半导体制造设备可以安装在被称为fab的半导体制造工厂内。晶片经历诸如沉积、光刻、刻蚀、离子注入、清洁、封装和检查的各种工艺，依次移动到执行每个工艺的设备以生产半导体。
3、半导体制造设备的排气压力可以基于由半导体制造工厂提供的主排气压力来设定。因此，如果由半导体制造工厂提供的主排气压力改变，则半导体制造设备的排气压力也可以改变。
4、半导体制造工厂的主排气压力可以由操作者手动调节，以维持半导体制造设备的排气压力。然而，由操作者意识到主压力的变化、制定操作计划并采取纠正措施可能花费相当长的时间。在此期间，排气压力的变化可能对工艺产生负面影响。
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【技术保护点】
1.一种半导体制造设备，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体制造设备，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体制造设备，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体制造设备，其中，所述控制单元基于所述第一截止阀和所述第二截止阀是打开还是关闭来选择性地控制所述阻尼器。
5.根据权利要求4所述的半导体制造设备，其中，如果所述第一截止阀和所述第二截止阀具有关于它们是打开还是关闭的相同状态，则所述控制单元控制所述阻尼器。
6.根据权利要求4所述的半导体制造设备，其中，如果所述第一截止阀和所述第二截止阀具有关于它们是打开...
【技术特征摘要】
1.一种半导体制造设备，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体制造设备，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体制造设备，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体制造设备，其中，所述控制单元基于所述第一截止阀和所述第二截止阀是打开还是关闭来选择性地控制所述阻尼器。
5.根据权利要求4所述的半导体制造设备，其中，如果所述第一截止阀和所述第二截止阀具有关于它们是打开还是关闭的相同状态，则所述控制单元控制所述阻尼器。
6.根据权利要求4所述的半导体制造设备，其中，如果所述第一截止阀和所述第二截止阀具有关于它们是打开还是关闭的不同状态，则所述控制单元不控制所述阻尼器。
7.根据权利要求3所述的半导体制造设备，其中，
8.根据权利要求2所述的半导体制造设备，其中，所述第一传感器和所述第二传感器测量根据排气量的压力。
9.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其中，所述第一单元和所述第二单元是不同类型的基板处理装置或相同类型的基板处理装置。
10.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其中，所述控制单元根据所述第一单元的状态和所述第二单元的状态来选择性地控制所述阻尼器。
11.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其中，所述控制单元基于所述第一单元的状态和所述第二单元的状态来确定何时控制所述阻尼器。
12.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其中，如果所述第一单元和所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：文炯钰，朴岽云，吴斗荣，俞在镐，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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