【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种垂直晶体管的制备方法及垂直晶体管。
技术介绍
1、在摩尔定律不断深化的当下，继续推进晶体管尺寸微缩是当前业界研发的热点问题。垂直晶体管(vertical field effect transistor，vfet)又名垂直传输场效应晶体管，是将晶体管以垂直方式堆叠，且控制电流以垂直方式传输，实现进一步提升晶体管集成密度，成为延续集成电路尺寸微缩的重要技术之一。
2、在垂直晶体管的制造过程中，为了方便在后道工艺时对底部有源结构和顶部有源结构进行金属布线，在形成与底部有源结构和顶部有源结构电连接的接触孔时，通常会将与底部有源结构和顶部有源结构电连接的接触孔的开口均朝向垂直晶体管的顶部，不利于对垂直晶体管尺寸的进一步缩小。
技术实现思路
1、本申请提供一种垂直晶体管的制备方法及垂直晶体管，通过将顶部接触孔和底部接触孔分别形成在垂直晶体管的顶部和底部，这样可以缩小底部有源结构的尺寸，进而达到缩小垂直晶体管尺寸的目标。
2、第一方面，本申请提供...
【技术保护点】
1.一种垂直晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述垂直晶体管还包括第二有源结构、沟道结构和介质层，所述第二有源结构和所述第一有源结构位于所述沟道结构相对的两端，所述介质层覆盖所述第二有源结构；
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述垂直晶体管还包括栅极结构，所述栅极结构环绕所述沟道结构，所述介质层覆盖所述栅极结构；
5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述在减薄处理后的衬底上的有源区刻蚀第一通孔，以暴露第一有
【技术特征摘要】
1.一种垂直晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述垂直晶体管还包括第二有源结构、沟道结构和介质层，所述第二有源结构和所述第一有源结构位于所述沟道结构相对的两端，所述介质层覆盖所述第二有源结构；
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述垂直晶体管还包括栅极结构，所述栅极结构环绕所述沟道结构，所述介质层覆盖所述栅极结构；
5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述在减薄处理后的衬底上的有源区刻蚀第一通孔，以暴露第一有源结构，包括：
6.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底包...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴恒，王志灏，王润声，黎明，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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