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本申请提供一种垂直晶体管的制备方法及垂直晶体管，该方法包括：通过前道工艺，在衬底上形成一垂直晶体管；翻转衬底所在的晶圆，并对衬底进行减薄处理，直至达到预设厚度；在减薄处理后的衬底上的有源区刻蚀第一通孔，以暴露第一有源结构；在第一通孔内沉积金...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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