一种电子选择性钝化接触结构及其制备方法和晶体硅太阳电池技术

本发明专利技术提供了一种电子选择性钝化接触结构及其制备方法和晶体硅太阳电池，属于光伏材料技术领域。本发明专利技术所用电子选择性传输层的材料为碘化铯、溴化铯、氟化铯、氟化铷、氟化铕和氟化钇中的一种或几种，该电子选择性传输层材料具有低的功函数、大的禁带宽度，受金属电极影响小，在器件中可以实现优异的电子选择性传输性能，并表现出极低的欧姆接触电阻率和钝化性能，可以有效降低太阳电池中晶体硅与金属电极接触界面的载流子复合损失和接触电阻，减少光学的寄生吸收，实现优异的电子提取及输运的性能，提高太阳电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏，尤其涉及一种电子选择性钝化接触结构及其制备方法和晶体硅太阳电池。

技术介绍

1、晶体硅太阳电池是当前太阳电池中生产和应用最成熟、广泛、稳定的种类，占据光伏市场重要地位，当前发展的主旋律是提高电池转换效率、降低制造成本。目前，光伏市场的主流产品是perc(passivating emitterand rear cell)太阳电池(平均光电转换效率为22.3～22.5％)，其结构是高温掺杂的同质结，金属直接与轻掺杂的硅片接触，存在大量的界面缺陷和费米钉扎效应，产生大的肖特基势垒，导致接触界面严重的载流子复合和较大的接触电阻，perc电池通过背面激光开槽降低晶体硅与金属电极的直接接触的面积，在金属电极区域使用高温杂质掺杂部分缓解了这种效应，降低srh接触复合率，显著降低接触电阻。然而，掺杂本身会导致其自身的电子能量损失，尤其是俄歇复合、带隙变窄和自由载流子吸收。另外，激光开槽工艺存在工艺复杂、成本增加、电池损伤、载流子收集受阻等缺点，限制了电池效率的进一步发展。因此，如何实现更高的转换效率，降低硅基底与电极间接触界面的载流子复合，另外简化工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子选择性钝化接触结构，其特征在于，所述电子选择性钝化接触结构为前端结构或背端结构；

2.根据权利要求1所述的电子选择性钝化接触结构，其特征在于，所述透明电极为氧化锡、氧化铟锡和氧化铟锌中的一种，所述透明电极的厚度为20～200nm。

3.根据权利要求1所述的电子选择性钝化接触结构，其特征在于，所述减反层的材料为氧化硅、氮化硅、氢化氮化硅、氟化镁和氧化铝中的一种或多种，所述减反层的厚度为20～200nm。

4.根据权利要求1所述的电子选择性钝化接触结构，其特征在于，所述第一电子选择性传输层和第二电子选择性传输层的制备方法独立为真空热蒸发或原子层...

【技术特征摘要】

1.一种电子选择性钝化接触结构，其特征在于，所述电子选择性钝化接触结构为前端结构或背端结构；

2.根据权利要求1所述的电子选择性钝化接触结构，其特征在于，所述透明电极为氧化锡、氧化铟锡和氧化铟锌中的一种，所述透明电极的厚度为20～200nm。

3.根据权利要求1所述的电子选择性钝化接触结构，其特征在于，所述减反层的材料为氧化硅、氮化硅、氢化氮化硅、氟化镁和氧化铝中的一种或多种，所述减反层的厚度为20～200nm。

4.根据权利要求1所述的电子选择性钝化接触结构，其特征在于，所述第一电子选择性传输层和第二电子选择性传输层的制备方法独立为真空热蒸发或原子层沉积法。

5.根据权利要求1或4所述的电子选择性钝化接触结构，其特征在于，所述第一电子选择性传输层和第二电子选择性传输层的厚度独立为1～20nm。

6.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟蓝翔，赵会会，梁宗存，王文贤，洪洋，李建新，宋海香，
申请(专利权)人：安阳工学院，
类型：发明
国别省市：