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一种电子选择性钝化接触结构及其制备方法和晶体硅太阳电池技术
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文档序号:41740527
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本发明提供了一种电子选择性钝化接触结构及其制备方法和晶体硅太阳电池,属于光伏材料技术领域。本发明所用电子选择性传输层的材料为碘化铯、溴化铯、氟化铯、氟化铷、氟化铕和氟化钇中的一种或几种,该电子选择性传输层材料具有低的功函数、大的禁带宽度,受...
该专利属于安阳工学院所有,仅供学习研究参考,未经过安阳工学院授权不得商用。
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