一种横向SiC-JFET器件制造技术

本申请实施例提供了一种横向SiC‑JFET器件，包括：基底；第二掺杂类型的第二外延层；第一掺杂类型的沟道区，位于所述第二外延层内；第二掺杂类型的栅极，位于所述第二外延层内且位于所述沟道区之上，栅极和沟道区形成PN结；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层形成在所述栅极之上，且至少覆盖所述栅极；栅极金属，形成在所述栅极绝缘层之上；其中，自上而下设置的栅极金属、栅极绝缘层、栅极、沟道区的设置方式，使得所述栅极和所述沟道区的PN结无法导通。本申请实施例提供了一种横向SiC‑JFET器件及其制备方法，以解决传统横向SiC‑JFET器件的栅极电压受到较大限制的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件，具体地，涉及一种横向sic-jfet器件及其制备方法。

技术介绍

1、sic作为第三代半导体材料较传统si材料有着很多优点。首先，sic是一种宽禁带材料，其禁带宽度达到3.2ev远高于si(禁带宽度1.1ev)，因此采用sic制作的器件在相同的击穿电压情况下，其体积较si基器件小很多，一般尺寸可以缩小十倍以上；其次，sic的载流子迁移率和si接近，且其电子的饱和漂移速度是si的两倍，相同击穿电压条件下的器件尺寸又小，因此很容易利用sic制备出小尺寸，高击穿电压，低导通电阻的功率器件，这使得sic的器件在功率应用中有着十分广泛的应用。同时sic材料的导热性好，对于功率应用来说，优良的导热能力可以支持其大功率应用。

2、常见的sic功率器件包括sic基的vdmos，纵向jfet(v-jfet)，ldmos，横向jfet(l-jfet)。sic横向jfet器件可以完全避免沟道迁移率的问题，其导通的部分完全在sic体内，因此可以将sic材料的优异性能完全发挥出来。

3、图1为现有的sic-jfet结构的示意图。如图1所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种横向SiC-JFET器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的横向SiC-JFET器件，其特征在于，所述栅极绝缘层(207)覆盖整层的第二外延层(103)除预设开孔位置以外的所有区域。

3.根据权利要求1所述的横向SiC-JFET器件，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求3所述的横向SiC-JFET器件，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求4所述的横向SiC-JFET器件，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求3至5任一所述的横向SiC-JFET器件，其特征在于，在所述栅极金属(208)未接电压时，从源极接触...

【技术特征摘要】

1.一种横向sic-jfet器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的横向sic-jfet器件，其特征在于，所述栅极绝缘层(207)覆盖整层的第二外延层(103)除预设开孔位置以外的所有区域。

3.根据权利要求1所述的横向sic-jfet器件，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求3所述的横向sic-jfet器件，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求4所述的横向sic-jfet器件，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求3至5任一所述的横向sic-jfet器件，其特征在于，在所述栅极金属(208)未接电压时，从源极接触到漏极接触的导电路径导通；

7.根据权利要求6所述的横向sic-jfet器件，其特征在于，在所述栅极金属(208)接第二电性电压的器件导通电压时，栅极金属(208)的电场穿过所述栅极绝缘层(207)对沟道区(109)作用，所述沟道区(109)导通，使得从源极接触到漏极接触的导电路径导通；其中，所述栅极绝缘层(207)的绝缘作用使得第二掺杂类型的栅极(110)和第一掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：王畅畅，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：